In the intrinsic state, the number

In the intrinsic state, the number of free electrons in Ge or Si is due only to those few electrons in the valence band that have acquired sufficient energy from thermal or light sources to break the covalent bond or to the few impurities that could not be removed. The vacancies left behind in the covalent bonding structure represent our very limited supply of holes. In an n-type material, the number of holes has not changed significantly from this intrinsic level. The net result, therefore, is that the number of electrons far outweighs the number of holes. For this reason

Kết quả (Việt) 1:

Trong trạng thái nội tại, số lượng các electron tự do trong Ge hoặc Si là do chỉ để những electron vài trong ban nhạc hóa trị mà có được đủ năng lượng từ các nguồn nhiệt hoặc ánh sáng để phá vỡ các trái phiếu liên hoặc các tạp chất vài có thể không được gỡ bỏ. Vị trí còn lại phía sau trong cấu trúc liên kết cộng hóa trị đại diện cho chúng tôi cung cấp rất hạn chế của lỗ. Trong một tài liệu n-loại, số lượng các lỗ không có thay đổi đáng kể từ này cấp nội tại. Kết quả, do đó, là số lượng điện tử đến nay outweighs số lượng lỗ. Vì lý do này

Kết quả (Việt) 2:

Trong trạng thái nội tại, số lượng các electron tự do trong Ge hoặc Si là do chỉ cho những người ít electron trong vùng hóa trị đó đã có được đủ năng lượng từ các nguồn nhiệt hay ánh sáng để phá vỡ các liên kết hóa trị hoặc ít các tạp chất mà không thể được gỡ bỏ . Các vị trí tuyển dụng bỏ lại phía sau trong cấu trúc liên kết cộng hóa trị đại diện cho nguồn cung rất hạn chế của chúng ta về lỗ. Trong một tài liệu n-loại, số lượng các lỗ đã không thay đổi đáng kể từ mức nội tại này. Kết quả thực, do đó, là số lượng của các điện tử đến nay giá trị hơn số lỗ. Vì lý do này