The TEM images were obtained with a

The TEM images were obtained with a Philips CM300 under 100 kV. The
samples were prepared by drop-casting the nanowire solutions on lacy carbon
copper grids. XPS was used to resolve the chemical components of the
TMV–Pt using an OMICRON Multiprobe with a monochromatic Al Ka
radiation (12,563.6 eV, 300 W) source. The base pressure of the analysis
chamber was smaller than 1029 torr. The samples were prepared by dropcasting
TMV–Pt nanowires on Au-coated Si substrates attached to a stainlesssteel
holder. The resolution of the measurement was about 0.1 eV. For all
spectra, a linear constant background was subtracted and peak fitting was
performed using a symmetric Gauss–Lorentz function. No apparent binding
energy shift was observed for Au 4f peaks (84 and 87.7 eV) from the substrate,
indicating no charging effect in the sample.

Kết quả (Việt) 1:

Những hình ảnh TEM đã thu được với một Philips CM300 dưới 100 kV. Cácmẫu đã được chuẩn bị bởi thả-đúc các giải pháp nanowire trên mong như đăng ten cacbonlưới đồng. XPS được sử dụng để giải quyết các thành phần hóa học của cácTMV-Pt bằng cách sử dụng một OMICRON Multiprobe với một Ka Al đơn sắcbức xạ (12,563.6 eV, 300 W) nguồn. Áp lực cơ sở phân tíchPhòng nhỏ hơn 1029 torr. Các mẫu được chuẩn bị bởi dropcastingTMV-Pt nanowires trên bọc Au Si chất gắn liền với một stainlesssteelchủ sở hữu. Nghị quyết của đo lường là khoảng cách 0.1 eV. Cho tất cảquang phổ, một nền tảng liên tục tuyến tính được trừ và cao điểm lắpthực hiện bằng cách sử dụng một hàm Gauss-Lorentz đối xứng. Không có ràng buộc rõ ràngsự thay đổi năng lượng đã được quan sát cho Au 4f đỉnh (84 và 87,7 eV) từ bề mặt,cho thấy không có hiệu lực tính phí trong mẫu.

Kết quả (Việt) 2:

Các hình ảnh TEM đã thu được với một CM300 Philips dưới 100 kV. Các
mẫu đã được chuẩn bị bằng cách thả đúc các giải pháp dây nano carbon trên ren
lưới đồng. XPS được sử dụng để giải quyết các thành phần hóa học của
TMV-Pt sử dụng một OMICRON Multiprobe với một đơn sắc Al Ka
bức xạ (12,563.6 eV, 300 W) nguồn. Áp lực cơ bản của phân tích
buồng nhỏ hơn 1029 torr. Các mẫu được chuẩn bị bởi dropcasting
TMV-Pt dây nano trên đế Si Au bọc gắn liền với một stainlesssteel
giữ. Độ phân giải của phép đo là khoảng 0,1 eV. Đối với tất cả các
quang phổ, một nền tảng ổn định tuyến tính đã được trừ và phù hợp cao điểm được
thực hiện bằng cách sử dụng một hàm Gauss-Lorentz đối xứng. Không rõ ràng ràng buộc
chuyển đổi năng lượng được quan sát đỉnh Au 4f (84 và 87,7 eV) từ các chất nền,
cho thấy không có tác dụng sạc pin trong mẫu.