A transistor behaves linearly for s

A transistor behaves linearly for signal powers well below the 1 dB compression point
(IP1dB), and so the small-signal scattering parameters should not depend on either the in-
put power level or the output termination impedance. However, for power levels compara-
ble to or greater than IP1dB, where the nonlinearity of the transistor becomes apparent, the
measured scattering parameters will depend on input power level and the output termina-
tion impedance (as well as frequency, bias conditions, and temperature). Thus large-signal
scattering parameters are not uniquely defined and do not satisfy linearity, and cannot be
used in place of small-signal parameters. (For device stability calculations, however, small-
signal scattering parameters can generally be used with good results.)

Kết quả (Việt) 2:

Một bóng bán dẫn xử tuyến tính cho các quyền hạn tín hiệu tốt dưới điểm nén 1 dB
(IP1dB), và do đó các thông số tán xạ tín hiệu nhỏ không nên phụ thuộc vào một trong hai trong-
đặt mức công suất hoặc trở kháng chấm dứt đầu ra. Tuy nhiên, đối với mức năng lượng compara-
ble hoặc lớn hơn IP1dB, nơi các phi tuyến của các bóng bán dẫn trở nên rõ ràng, các
thông số tán xạ đo được sẽ phụ thuộc vào mức năng lượng đầu vào và đầu ra termina-
sự trở kháng (cũng như tần số, điều kiện thiên vị, và nhiệt độ). Như vậy tín hiệu lớn
thông số tán xạ không phải là duy nhất de fi định nghĩa và không đáp ứng tuyến tính, và không thể được
sử dụng thay cho các thông số tín hiệu nhỏ. (Đối với các tính toán ổn định thiết bị, tuy nhiên, nhỏ
tín hiệu tán xạ các tham số có thể thường được sử dụng với kết quả tốt.)