Fig. 7. Variation of the drain curr

Fig. 7. Variation of the drain current Ids,sat versus the AlN layer thickness as calculated for an AlInN/AlN/GaN HEMT with xIn =0.1 and at Vgs =0.
Fig. 8. The Ids–Vds characteristics of an AlInN/AlN/GaN HEMT with xIn = 0.154 and dAlInN = 7.4 nm: j Experimental data taken from Ref. [41]; h Theoretical results obtained for ideal heterostructure; . . .. Ids calculated for NT = 8.5 1015 cm 3 at room temperature; —Fit of the total plot of Ids. In the inset, is depicted the Vds-dependent temperature in the GaN channel.

Kết quả (Việt) 1:

Hình 7. Các biến thể của cống ID hiện nay, ngồi so với chiều dày lớp AlN như tính cho một HEMT AlN-AlInN-GaN với Xin suo = 0,1 và tại Vgs = 0.Hình 8. Đặc điểm ID-Vds của một HEMT AlN-AlInN-GaN với Xin suo = 0.154 và dAlInN = 7.4 nm: j thực nghiệm dữ liệu Lấy từ Ref. [41]; h kết quả lý thuyết thu được cho lý tưởng heterostructure; . . .. ID tính cho NT = 8.5 1015 cm 3 ở nhiệt độ phòng; -Sự phù hợp của lô ID, tất cả. Tại ghép, mô tả Vds-phụ thuộc vào nhiệt độ trong các kênh GaN.

Kết quả (Việt) 2:

Sung. 7. Biến thể của Id cống hiện, ngồi so với độ dày của lớp AlN như tính cho một AlInN / AlN / GaN HEMT với xịn = 0,1 và tại VGS = 0.
Hình. 8. Các đặc tính Id-VDS của một HEMT AlInN / AlN / GaN với xịn = 0,154 và dAlInN = 7,4 nm: j nghiệm dữ liệu lấy từ Ref. [41]; kết quả lý thuyết h thu được cho dị thể lý tưởng; . . .. Id tính cho NT = 8,5 1.015 cm 3 ở nhiệt độ phòng; -Fit Tổng âm mưu của Id. Trong inset, được mô tả nhiệt độ VDS-phụ thuộc vào các kênh GaN.