Hall effect sensors have a low cost

Hall effect sensors have a low cost, small size, and a power consumption from 100 to 200 mW. They are fabricated on standard Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) technology and can measure either constant or varying magnetic field between temperature ranges from -100 to + 100 ºC (Ripka & Tipek, 2007). Nevertheless, Hall effect sensors have a low resolution from 1 to 100 mT and require temperature compensation circuits (Popovic, 2004). Fluxgate sensors can measure static or low frequency magnetic field with a resolution of 100 pT (Ripka & Tipek, 2007). They have a size of several millimeters and a power consumption close to 100 mW. These sensors require a complex fabrication of the magnetic core and coils (Baschirotto, 2006); in addition, the reduction of their mass and power decreases both their sensitivity and stability (Diaz-Michelena, 2009). In order to miniaturize fluxgate sensors is needed to solve two problems: the miniaturization of the coils and the integration of the magnetic core (Perez et al., 2004).
Anisotropic Magnetoresistive (AMR) sensors have a resolution of 10 nT, a size on order of millimetres, and a power consumption of a few milliwatts (Ripka, 2000). AMR sensors employ the anisotropic magnetoresistive effect of ferromagnetic transition metals, whose electrical resistance depends on the angle between the electrical current and the direction of magnetization. However, these sensors require a complex resetting procedure and are saturated at low magnetic fields (close to several milliteslas).

Kết quả (Việt) 1:

Bộ cảm biến hiệu ứng Hall có một chi phí thấp, kích thước nhỏ và tiêu thụ điện năng từ 100 đến 200 mW. Chúng được chế tạo trên công nghệ bổ sung bán dẫn Oxide kim loại (CMOS) tiêu chuẩn và có thể đo liên tục hoặc khác nhau từ trường giữa nhiệt độ từ -100 đến + 100 ºC (Ripka & Tipek, 2007). Tuy nhiên, hiệu ứng Hall cảm biến có độ phân giải thấp từ 1 đến 100 mT và yêu cầu nhiệt độ bồi thường thiệt hại mạch (Popovic, 2004). Cảm biến Fluxgate có thể đo tĩnh hoặc tần số thấp từ trường với độ phân giải 100 pT (Ripka & Tipek, 2007). Họ có một kích thước của một vài mm và điện năng tiêu thụ gần 100 mW. Cảm biến này yêu cầu một chế tạo phức tạp của lõi từ và cuộn dây (Baschirotto, 2006); Ngoài ra, việc giảm khối lượng và sức mạnh của họ giảm của độ nhạy và độ ổn định (Diaz-Michelena, 2009). Để miniaturize fluxgate cảm biến là cần thiết để giải quyết hai vấn đề: miniaturization của các cuộn dây và sự tích hợp của lõi từ (Perez et al, 2004).Đẳng hướng từ điện trở (AMR) cảm biến có độ phân giải 10 nT, một kích thước lệnh mm và điện năng tiêu thụ của một vài milliwatts (Ripka, 2000). AMR cảm biến sử dụng các hiệu ứng từ điện trở đẳng hướng của sắt từ các kim loại chuyển tiếp, có điện trở phụ thuộc vào góc giữa dòng điện và hướng của từ tính. Tuy nhiên, cảm biến những đòi hỏi một quy trình phức tạp Reset và được bão hòa tại thấp từ trường (gần một số milliteslas).

Kết quả (Việt) 2:

Cảm biến hiệu ứng Hall có một chi phí thấp, kích thước nhỏ và tiêu thụ điện năng 100-200 mW. Chúng được chế tạo trên công nghệ tiêu chuẩn Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) và có thể đo lường hoặc không đổi hoặc từ trường biến thiên giữa các phạm vi nhiệt độ từ -100 đến + 100 o C (Ripka & Tipek, 2007). Tuy nhiên, cảm biến hiệu ứng Hall có độ phân giải thấp 1-100 mT và đòi hỏi mạch bù nhiệt (Popovic, 2004). Cảm biến Fluxgate có thể đo tĩnh hoặc thấp từ trường tần số với độ phân giải 100 pT (Ripka & Tipek, 2007). Chúng có kích thước vài mm và điện năng tiêu thụ gần 100 mW. Những cảm biến này đòi hỏi một chế tạo phức tạp của lõi từ và cuộn dây (Baschirotto, 2006); ngoài ra, việc giảm khối lượng và sức mạnh của họ giảm cả độ nhạy và độ ổn định (Diaz-Michelena, 2009) của họ. Để thu nhỏ cảm biến fluxgate là cần thiết để giải quyết hai vấn đề: (. Perez et al, 2004). Thu nhỏ của các cuộn dây và sự tích hợp của lõi từ tính
dị hướng từ điện trở (AMR) cảm biến có độ phân giải 10 nT, một kích thước trên thứ tự của milimét, và điện năng tiêu thụ của một vài milliwatt (Ripka, 2000). Cảm biến AMR sử dụng các hiệu ứng từ điện trở dị hướng của kim loại chuyển tiếp sắt từ, có điện trở phụ thuộc vào góc giữa dòng điện và hướng của từ tính. Tuy nhiên, các cảm biến này cần một thủ tục cài đặt lại phức tạp và đang bão hòa ở từ trường thấp (gần với nhiều milliteslas).

Kết quả (Việt) 3:

Hiệu ứng Hall cảm biến có chi phí thấp, khối lượng nhỏ, công hao từ 100 đến 200 nhưng nguồn.Họ là tiêu chuẩn bổ sung oxit kim loại bán dẫn (CmO) chuẩn bị kỹ thuật có thể đo lường hoặc thay đổi liên tục giữa từ trường của nhiệt độ từ - 100 đến + 100% C (Puka. Và trong tipek, 2007).Tuy nhiên, từ 1 đến 100 tấn, cần nhiệt độ bù đắp cho mạch điện hiệu ứng Hall cảm biến có độ phân giải thấp (Popovic, 2004).Cửa thông cảm biến có thể đo lường điện tích hay độ phân giải thấp 100 tần số góc từ trường (Puka. Và trong tipek, 2007).Họ có một vài mm kích thước và một công hao gần 100 nhưng nguồn.Những cảm biến cần một lõi từ phức tạp và cuộn dây tạo ra (baschirotto, 2006); ngoài ra, chúng có chất lượng và năng lượng của nó giảm làm giảm độ nhạy và ổn định (Diaz Michelena, 2009).Để giảm cửa thông cảm biến cần giải quyết vấn đề: hai cuộn dây thu nhỏ và tích hợp của lõi từ (Perez et al, 2004).Anisotropic Magnetoresistive (AMR) cảm biến độ phân giải cho 10 Tân Đài tệ, trong giai đoạn kích thước mm, và một vài điện năng tiêu thụ (Ripka, 2000).AMR cảm biến dùng sắt từ kim loại chuyển tiếp của Anisotropy hiệu ứng từ điện trở kháng, nó phụ thuộc vào hướng của góc giữa dòng từ hóa.Tuy nhiên, những cảm biến cần một quá trình phức tạp đặt lại, là trong từ trường bão hòa thấp (gần vài milliteslas).