• VGS(max) = maximum per missible g

• VGS(max) = maximum per missible gate-source voltage.
• If VGS >VGS(max) rupture of gate oxide by
large electric fields possible.
• EBD(oxide) ≈ 5- 10 million V/cm
• Gate oxide typically 1000 anstroms thick
• VGS(max) < [5x106] [10- 5] = 50 V
• Typical VGS(max) 20 - 30 V
• Static charge on gate conductor can rupture
gate oxide
• Handle MOSFETs with car e (ground
your self before handling device)
• Place anti- parallel connected Zener diodes
between gate and source as a protective
measure
Maximum

Kết quả (Việt) 1:

• VGS(max) = tối đa mỗi missible cổng nguồn điện áp.• Nếu VGS > VGS(max) vỡ gate oxit bởilĩnh vực điện lớn nhất có thể.• EBD(oxide) ≈ 5 - 10 triệu V/cm• Cổng ôxít thường là 1000 anstroms dày• VGS(max) < [5 x 106] [10 - 5] = 50 V• Điển hình VGS(max) 20-30 V• Tĩnh phí vào cổng dẫn có thể vỡGate ôxít• Xử lý MOSFETs với xe e (đấttự của bạn trước khi xử lý thiết bị)• Đặt chống-song song nối điốt Zenergiữa cổng và nguồn như là một bảo vệthước đoTối đa

Kết quả (Việt) 2:

• VGS (max) = tối đa cho mỗi điện áp cổng-nguồn missible.
• Nếu VGS> VGS (max) vỡ cổng oxide bởi
điện trường lớn có thể.
• EBD (oxit) ≈ 5 10.000.000 V / cm
• Cổng oxit thường 1000 anstroms dày
• VGS (max) <[5x106] [10 5] = 50 V
• Tiêu biểu VGS (max) 20-30 V
• tính tĩnh trên dây dẫn cửa khẩu có thể bị vỡ
cửa oxit
MOSFETs • Xử lý bằng xe điện tử (mặt đất
tự của bạn trước khi xử lý thiết bị)
• Đặt chống song song kết nối điốt Zener
giữa các cửa khẩu và nguồn như là một bảo vệ
biện pháp
tối đa