LDMOS stands for lateral double-dif

LDMOS stands for lateral double-diffused MOSFET, the lateral version of power MOSFET, DMOS. Although some vendors offer RF versions of DMOS, its vertical structure has serious problems with excessive parasitic capacitance starting at around 500 MHz. LDMOS fares much better at higher frequencies, not least due to extensive technology development recent years. The first cellular base stations used silicon BJTs, and many GaAs developers expected an easy win as cell frequencies were going up, and linearity and efficiency requirements were getting tighter. This never happened, it was LDMOS that invaded the territory. LDMOS components with output power over 100 Watts at 2.7 GHz are available at the moment of writing this. The frequency range is likely to extend further as Freescale has recently announced 3.5 GHz high power LDMOS for coming WiMAX applications. If or when this happens, the hopes AlGaN developers had for exciting new markets might not come true, just as those of GaAs folks a decade ago.

Kết quả (Việt) 1:

LDMOS là viết tắt của bên khuếch tán đôi MOSFET, phiên bản bên của điện MOSFET, DMOS. Mặc dù một số nhà cung cấp cung cấp phiên bản RF của DMOS, cấu trúc theo chiều dọc của nó có các vấn đề nghiêm trọng với quá nhiều điện dung ký sinh bắt đầu lúc khoảng 500 MHz. LDMOS giá vé tốt hơn nhiều ở tần số cao hơn, không kém do phát triển mở rộng công nghệ năm gần đây. Trạm cơ sở tế bào đầu tiên sử dụng silic BJTs, và nhiều GaAs nhà phát triển dự kiến một chiến thắng dễ dàng như tần số di động đã đi, và linearity và hiệu quả các yêu cầu đã nhận được chặt hơn. Điều này không bao giờ xảy ra, nó đã là LDMOS xâm chiếm lãnh thổ. LDMOS thành phần với sản lượng điện hơn 100 watt ở 2.7 GHz có sẵn tại thời điểm văn bản này. Các dải tần số có khả năng mở rộng hơn nữa như Freescale gần đây đã công bố 3,5 GHz cao điện LDMOS cho tới các ứng dụng WiMAX. Nếu hoặc khi điều này xảy ra, với hy vọng AlGaN nhà phát triển đã cho thú vị mới thị trường có thể không trở thành sự thật, cũng giống như những người của GaAs folks một thập kỷ trước.

Kết quả (Việt) 2:

LDMOS là viết tắt của hai bên khuếch tán MOSFET, các phiên bản bên của điện MOSFET, DMOS. Mặc dù một số nhà cung cấp cung cấp các phiên bản RF của DMOS, cấu trúc thẳng đứng của nó có vấn đề nghiêm trọng với điện dung ký sinh quá mức bắt đầu từ khoảng 500 MHz. LDMOS giá vé tốt hơn ở tần số cao hơn, không kém phần do sự phát triển công nghệ năm mở rộng gần đây. Các trạm di động đầu tiên sử dụng cơ sở BJTs silicon, và nhiều nhà phát triển GaAs dự kiến ​​một chiến thắng dễ dàng như tần số di động đã đi lên, và tuyến tính và hiệu quả các yêu cầu đã nhận được chặt chẽ hơn. Điều này không bao giờ xảy ra, nó là LDMOS nào xâm chiếm lãnh thổ. LDMOS thành phần với sản lượng điện trên 100 Watts 2,7 GHz có sẵn tại thời điểm viết bài này. Các dải tần số là khả năng mở rộng hơn nữa như Freescale gần đây đã công bố 3,5 GHz LDMOS điện cao cho đến các ứng dụng WiMAX. Nếu hoặc khi điều này xảy ra, các nhà phát triển hy vọng AlGaN đã cho các thị trường mới thú vị có thể không trở thành sự thật, chỉ là những folks GaAs một thập kỷ trước đây.