The combination increases transisto

The combination increases transistor speeds to levels that allow ultra-fast radios and personal communication devices. Bipolar transistors are formed in the Ge layer. The SiGe alloys required in transistors have hetero structures or heterojunctions. These are structures with several layers and specific dopant levels to allow high-frequency operations.

Kết quả (Việt) 1:

Sự kết hợp làm tăng tốc độ bóng bán dẫn đến mức độ cho phép thiết bị radio cực nhanh và thiết bị liên lạc cá nhân. Bóng bán dẫn lưỡng cực được thành lập vào các lớp Ge. Các hợp kim SiGe cần thiết trong bóng bán dẫn có cấu trúc dị hoặc heterojunctions. Đây là những cấu trúc với một số các lớp và các cấp độ cụ thể rộng để cho phép hoạt động tần số cao.

Kết quả (Việt) 2:

Sự kết hợp tăng tốc độ bóng bán dẫn đến mức độ cho phép radio cực kỳ nhanh chóng và các thiết bị thông tin liên lạc cá nhân. transistor lưỡng cực được hình thành trong lớp Ge. Các hợp kim SiGe cần thiết trong bóng bán dẫn có cấu trúc dị hoặc heterojunctions. Đây là những cấu trúc nhiều lớp và mức độ dopant cụ thể để cho phép hoạt động với tần số cao.