region. It is assumed that the edge

region. It is assumed that the edges of the depletion region are sharply defined as shown in
Fig. 1.1, and this is a good approximation in most cases.
For zero applied bias, there exists a voltage ψ0 across the junction called the built-in
potential. This potential opposes the diffusion of mobile holes and electrons across the junction
in equilibrium and has a value

Kết quả (Việt) 1:

khu vực. Người ta cho rằng các cạnh của vùng sự suy giảm mạnh được định nghĩa như minh hoạ trongHình 1.1, và điều này là một xấp xỉ tốt trong hầu hết trường hợp.Cho không thiên vị ứng dụng, có tồn tại một ψ0 điện áp trên giao lộ được gọi là built-intiềm năng. Tiềm năng này phản đối sự khuếch tán của lỗ điện thoại di động và điện tử qua giao lộtrong trạng thái cân bằng và có giá trị

Kết quả (Việt) 2:

khu vực. Người ta cho rằng các cạnh của khu vực suy giảm đang mạnh được định nghĩa như trong
hình. 1.1, và điều này là một xấp xỉ tốt trong hầu hết các trường hợp.
Đối với không áp dụng thiên vị, có tồn tại một ψ0 điện áp trên các đường giao nhau gọi là xây dựng trong
tiềm năng. Tiềm năng này phản đối việc phổ biến các lỗ di động và điện tử qua ngã tư
trong trạng thái cân bằng và có giá trị