CRYSTAL PREPARATION. The substrate

CRYSTAL PREPARATION. The substrate of bipolar and MOS integrated circuits is generally a single crystal of silicon that is lightly doped with either n- or p- typc impurities. The substrate serves both as the physical medium upon and within which the IC is built and as part of the electrical circuit itself. These cry stals arc sliced from large right-circular cylinders of crystalline silicon, which are carefully grown to lengths up to 2 m and which vary in diameter from I to several inchcs. The slices are typically 250µ to 400µ thick. From an electrical viewpoint much thinner slices would be acceptable; however, the thicker slices have been adopted because they are more practical to handle (less breakage) and are less likely to warp during processing. The size of the wafers has been increasing rapidly with time to allow for both large chips and a larger number of chips per wafer. As of 1989, many of the older processing lines were using 4 inch wafers, but the newer lines are typically using 5 and 6 inch wafers. The crystals are often cut so that the surface is oriented approximately in the direction.

Kết quả (Việt) 1:

CHUẨN BỊ TINH THỂ. Bề mặt của lưỡng cực và MOS mạch nói chung là một tinh thể duy nhất Silicon nhẹ doped với một trong hai tạp chất n hoặc p typc. Chất nền phục vụ như là phương tiện vật lý khi và trong đó IC được xây dựng và như là một phần của mạch điện riêng của mình. Hồ quang stals khóc thái lát từ xi lanh phải tròn lớn của silic tinh thể, đó một cách cẩn thận phát triển đến độ dài tới 2 m và mà thay đổi đường kính từ tôi để một số inchcs. Các lát là 250µ để 400µ dày. Từ một quan điểm điện mỏng hơn nhiều lát sẽ được chấp nhận; Tuy nhiên, lát dày hơn đã được thông qua bởi vì họ là thực tế hơn để xử lý (ít vỡ) và ít có khả năng cong trong chế biến. Kích thước của các tấm đã tăng lên nhanh chóng với thời gian để cho phép cho lớn khoai tây chiên và một số lớn hơn của khoai tây chiên một wafer. Năm 1989, nhiều người trong số các dây chuyền sản xuất lớn đã sử dụng 4 inch tấm, nhưng dòng mới hơn thường sử dụng 5 và 6 inch tấm. Các tinh thể thường được cắt do đó bề mặt theo định hướng khoảng theo hướng <100>.

Kết quả (Việt) 2:

CRYSTAL PREPARATION. The substrate of bipolar and MOS integrated circuits is generally a single crystal of silicon that is lightly doped with either n- or p- typc impurities. The substrate serves both as the physical medium upon and within which the IC is built and as part of the electrical circuit itself. These cry stals arc sliced from large right-circular cylinders of crystalline silicon, which are carefully grown to lengths up to 2 m and which vary in diameter from I to several inchcs. The slices are typically 250µ to 400µ thick. From an electrical viewpoint much thinner slices would be acceptable; however, the thicker slices have been adopted because they are more practical to handle (less breakage) and are less likely to warp during processing. The size of the wafers has been increasing rapidly with time to allow for both large chips and a larger number of chips per wafer. As of 1989, many of the older processing lines were using 4 inch wafers, but the newer lines are typically using 5 and 6 inch wafers. The crystals are often cut so that the surface is oriented approximately in the <100> direction.