TRANG 5 hình. 6. Các thành phần của một nóng carbon với một Tôn nhiệt độ tối đa "= 1350, thính phòng và hoạt động ở T" ,,,. (C).
5-1- chế tạo màng tinh thể ở nhiệt độ thấp hơn nhiều so với của
nhiệt độ nóng chảy, nhiệt độ tăng trưởng. Chúng tôi đã phát minh ra như
máy sưởi để chế tạo vật liệu nhiệt độ cao, Một trong những
nóng được thể hiện trong hình, bao gồm 6 và ofMo kim loại, hợp kim lnconel
và nóng carbon. Phim carbon mỏng được phủ để thực hiện một heater-
băng có hình dạng xoắn ốc trên cơ thể cách điện BN với một
nắp hình trụ, và được che chắn bởi bao phủ với BN (Hình 6a.).
Nhiệt độ nóng (Th) đã được giám sát bởi một cặp nhiệt điện
(Pt ; 13% Pt-Rh) ở mặt sau của tấm nóng. Các
giá trị tối đa của T; là khoảng 1350 ° C (Hình 6c.). Mặt trước
(ra) nhiệt độ bên của tấm nóng T, được ước tính là
1100 ° C, mà là ", 250 ° C ít hơn so với nhiệt độ bên lại
đo bằng nhiệt kế chromic và một cặp nhiệt
gắn vào bề mặt. Chúng tôi có T , khi nhiệt độ bề mặt
Ts để thuận tiện; nhiệt độ đo được sử dụng một chromic
nhiệt độ bề mặt của một chất nền sapphire là gần
giống như Tr- Các đế được gắn chặt vào lò sưởi
. tấm sử dụng vít (. Hình 6b)
5-2 - Bằng cách sử dụng máy sưởi nhiệt độ cao, chúng tôi đã có thể
chế tạo những bộ phim dị epitaxy của 3C-, 2H và 4H-SiC trên
sapphire-c [18,21,22], như xác nhận qua sự phản ánh năng lượng cao
nhiễu xạ electron (RHEED ) mô hình của bộ phim của họ thể hiện trong
hình. 7. Điều kiện tối ưu PLAD là E = 50 mJ / xung,
F = 1.0 Jlcm2 / xung. Một kết dính đĩa 6H-SiC được sử dụng như là các
mục tiêu. Vào khoảng Th = 1200 ° C một đa tinh thể phim của SiC (i)
được chế tạo (Hình 7a.), trong khi bên dưới Th = 1150 ° C phi
phim tinh phát triển. epitaxy phim của 3C-SiC (ii) tăng trưởng
khoảng 1250 ° C (Hình. 7b) và lục giác kiểu SiC tại 1300- 1350 "C. Để tạo ra bộ phim epitaxy 2H-SiC (iii) và 4H-SiC (iv) một mình nó là cần thiết để kiểm soát các điều kiện PLAD chặt chẽ, đặc biệt là để thay đổi tần số lặp lại từ 2 đến 5 Hz ngoài việc tăng Ts, (Hình 7c. và d). phim epitaxy cũng có thể được chuẩn bị trên đế Si [19]. Các đường giao nhau của n-SiC epitaxy fihn / p-Si (l 1 I) chất nền cho thấy một đặc tính pin diode tốt với một điện áp cố lớn vượt quá -300 V, như thể hiện trong hiện tại áp (IV) đường cong trong hình. 8. phim Hetero-epitaxy do đó có thể được chế tạo thậm chí cho lục giác SiC với bulk- rất cao Nhiệt độ tăng trưởng của ", 2400 ° C sử dụng PLAD và nóng nhiệt độ cao hiện nay phát triển. 5-3- 2.3. Dual-mục tiêu PLAD đồng thời và tại chỗ p-type doping p- Loại doping là l difficul cho chất bán dẫn khe hở rộng như SiC, GaN và ZnO với nhiệt độ nóng chảy cao hoặc tăng trưởng của nhiệt độ 1500-2700, 1700 và 1900 "C. ion implanta- sự của Al hoặc B được thực hiện vào các lớp SiC, tạo ra một giai đoạn vô định hình. Do đó ủ nhiệt là cần thiết cho sự hoạt hóa của dopant của xây dựng lại các lớp tinh thể ở nhiệt độ cao 1600-1700 ° C [15,17 .] p-Doping của GaN thường liên quan đến các phương pháp CVD, thêm một kim loại hữu cơ hợp chất (MO) của Mg đến Ga-MO; tạo ra không mong muốn hợp với các nguyên tử hydro được sản xuất bởi MO-phân hủy sự [23] Nó cũng được biết đến. rằng bước đột phá cho p-doping của GaN đã được thực hiện bởi Akazaki và đồng nghiệp và Nakamura
đang được dịch, vui lòng đợi..