DescriptionThe IR2110/IR2113 are hi

Description
The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and
IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels.
Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable
ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with
standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output
drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum
driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The
floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which
operates up to 500 or 600 volts.

Kết quả (Trung) 1:

描述IR2110/IR2113 有高电压，高转速功率 MOSFET 和与独立的高、 低压侧，引用输出通道的 IGBT 驱动程序。专有 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术使加固的整体建设。逻辑输入是与兼容标准的 CMOS 或 LSTTL 输出，到 3.3 v 逻辑。输出驱动程序功能设计为最小的高脉冲当前缓冲级驱动程序交叉导通。传播延迟相匹配，以简化在高频应用中的使用。的浮动的频道可以用来驱动 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 在高压侧配置的经营高达 500 或 600 伏特。

Kết quả (Trung) 2:

说明
该IR2110 / IR2113的高电压，高速功率MOSFET和
IGBT驱动器具有独立的高和低侧参考输出通道。
专有HVIC和锁存免疫CMOS技术使
坚固耐用的单片式结构。逻辑输入兼容
标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出
驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低
驱动跨导。传播延迟相匹配，以简化在高频应用中使用。所述
浮动通道可以用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，其中，高侧配置中
的工作频率高达500或600伏特。

Kết quả (Trung) 3:

描述
IR2110 /新型高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器
独立高和低侧参考输出通道。
专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使
耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS输出或输入通道兼容
，下降到3.3V逻辑。
输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计的最小
驱动器交叉传导。传播延迟匹配简化高频应用。
的浮动通道可以用来驱动高侧的配置
工作多达500或600伏特的N沟道功率MOSFET或IGBT。