1. IntroductionPhotovoltaic (PV) ef

1. Introduction
Photovoltaic (PV) effect was discovered in 1839, but it remained
of laboratory interest until the mid 1950s when US space program
attempted to power satellite with PV cells. In 1954, single crystal
silicon (sc-Si) PV cells of 6% efficiency were reported at Bell Laboratories.
During the energy crisis of the early 1970s both public and
private sector became interested in terrestrial applications of silicon
based PV energy generation and gradually the research field
shifted towards other PV materials like GaAs, InP, CdTe (Aurvtin
et al., 2011) and CuInSe2 based solar cells. During the past twenty
years, these research and development efforts resulted in conversion
efficiency improvements from 6% to 17% for CuInSe2 based and
from 8% to 16% for CdTe based, small area thin film modules for industrial
level and the latest nanowires in window layer to improve
the efficiency of cell (Fahrenbruch and Bube, 1983; Rommeo et al.,
2010; Liu et al., 2011).
Here, we discuss the results of CdTe based single crystal solar
cells where ZnCdS acts as window layer. Single-crystal substrates
have been employed for the fabrication of heterojunction photovoltaic
devices. In the heterojunction photovoltaic devices n-type
window layer is deposited on any suitable p-type single-crystal substrate. Now a lot of research is being carried out with various
combination of materials used for PV devices. The single crystal
substrate has been used for the fabrication of heterojunction
photovoltaic devices of the type n-CdS / p-InP, p-CdTe, p-GaAs or
p-Ge. Analysis of the photovoltaic response shows that all the devices
generally have good collection efficiency (Arienzo and Loferski,
1980). Cells using single crystal CdTe have been reported with
solar efficiencies as high as 12% (Yamaguchi et al., 1977).

Kết quả (Việt) 1:

1. giới thiệuQuang điện (PV) có hiệu lực được phát hiện vào năm 1839, nhưng nó vẫn cònPhòng thí nghiệm quan tâm cho đến giữa những năm 1950, khi Hoa Kỳ space chương trìnhcố gắng sức mạnh truyền hình vệ tinh với các tế bào PV. Năm 1954, đơn tinh thểtế bào PV silicon (sc-Si) của 6% hiệu quả đã được báo cáo tại Phòng thí nghiệm Bell.Trong cuộc khủng hoảng năng lượng của đầu thập niên 1970 cả hai khu vực vàkhu vực tư nhân trở thành quan tâm đến các ứng dụng trên đất liền của silicDựa trên PV năng lượng thế hệ và dần dần lĩnh vực nghiên cứuchuyển hướng tới các tài liệu khác của PV như GaAs, InP, CdTe (Aurvtinet al., năm 2011) và CuInSe2 dựa trên tế bào năng lượng mặt trời. Trong hai mươi vừa quanăm, những nỗ lực nghiên cứu và phát triển dẫn đến chuyển đổicải thiện hiệu quả từ 6% đến 17% cho CuInSe2 dựa vàtừ 8% đến 16% cho CdTe dựa, mô-đun phim mỏng khu vực nhỏ trong công nghiệpmức độ và nanowires đặt trong cửa sổ lớp để cải thiệnhiệu quả của tế bào (Fahrenbruch và Bube, 1983; Rommeo et al.,2010; Lưu et al., năm 2011).Ở đây, chúng tôi thảo luận về kết quả của CdTe dựa trên tinh thể duy nhất, năng lượng mặt trờitế bào nơi ZnCdS hoạt động như cửa sổ lớp. Đơn tinh thể chấtđã được sử dụng cho sản xuất của heterojunction quang điệnthiết bị. Trong các thiết bị quang điện heterojunction n-loạicửa sổ lớp được gửi trên bất kỳ bề mặt đơn tinh thể kiểu p phù hợp. Bây giờ rất nhiều nghiên cứu được được thực hiện với nhiềusự kết hợp của vật liệu được sử dụng cho các thiết bị PV. Tinh thể duy nhấtbề mặt đã được sử dụng cho sản xuất của heterojunctionCác thiết bị quang điện của loại n-đĩa CD / p-InP, p-CdTe, p-GaAs hoặcp-Ge. Phân tích của các phản ứng quang điện cho thấy rằng tất cả các thiết bịthường có hiệu quả bộ sưu tập tốt (Arienzo và Loferski,1980). tế bào bằng cách sử dụng tinh thể duy nhất CdTe đã được báo cáo vớinăng lượng mặt trời hiệu quả cao tới 12% (Yamaguchi và ctv., 1977).

Kết quả (Việt) 2:

1. Giới thiệu
quang điện (PV) có hiệu lực đã được phát hiện vào năm 1839, nhưng nó vẫn
quan tâm trong phòng thí nghiệm cho đến giữa những năm 1950 khi chương trình không gian của Mỹ
đã cố gắng truyền hình vệ tinh với các tế bào năng lượng mặt trời. Trong năm 1954, đơn tinh thể
silicon (sc-Si) tế bào PV hiệu quả 6% được báo cáo tại Bell Laboratories.
Trong cuộc khủng hoảng năng lượng của năm 1970 cả nước và
khu vực tư nhân đã trở thành quan tâm đến các ứng dụng trên mặt đất của silicon
dựa trên thế hệ năng lượng PV và dần dần lĩnh vực nghiên cứu
chuyển dịch theo hướng vật liệu PV khác như GaAs, InP, CdTe (Aurvtin
et al., 2011) và CuInSe2 pin mặt trời dựa. Trong hai mươi qua
nhiều năm, các nỗ lực nghiên cứu và phát triển dẫn đến chuyển đổi
cải tiến hiệu suất từ 6% đến 17% cho CuInSe2 dựa và
từ 8% đến 16% cho CdTe dựa, diện tích nhỏ module màng mỏng cho công nghiệp
cấp và các dây nano mới nhất trong cửa sổ lớp để nâng cao
hiệu quả của tế bào (Fahrenbruch và Bube, 1983;. Rommeo et al,
2010;. Liu et al, 2011).
Ở đây, chúng tôi thảo luận về các kết quả của năng lượng mặt trời CdTe dựa tinh thể đơn
bào nơi ZnCdS đóng vai trò như lớp cửa sổ. Chất đơn tinh thể
đã được sử dụng để chế tạo các dị quang điện
các thiết bị. Trong các thiết bị dị quang điện loại n
lớp cửa sổ được lắng đọng trên bất kỳ phù hợp p-type đơn tinh chất nền. Bây giờ rất nhiều nghiên cứu đang được tiến hành với nhiều
sự kết hợp của các vật liệu sử dụng cho các thiết bị PV. Các tinh thể đơn
chất nền đã được sử dụng để chế tạo các dị
các thiết bị quang điện của các loại n-CdS / p-InP, p-CdTe, p-GaAs hoặc
p-Ge. Phân tích của các phản ứng quang điện cho thấy rằng tất cả các thiết bị
thường có hiệu quả bộ sưu tập tốt (Arienzo và Loferski,
1980). Các tế bào sử dụng CdTe đơn tinh thể đã được báo cáo với
hiệu quả năng lượng mặt trời cao như 12% (Yamaguchi et al., 1977).