Fig. 5. A Gaussian beam of waveleng

Fig. 5. A Gaussian beam of wavelength λois focused at the entrance facet of a semi-infinite slit
(width = w, dielectric constant = ε2) in a metallic host having dielectric constant ε1. (In this 2-dimensional system the beam is focused through a cylindrical lens; its shape, therefore, does
not vary along the x-axis.) The beam is linearly polarized, having H-field along xand E-field
components (Ey, Ez
) confined to the plane of incidence. In our FDTD simulations, the incident
beam (λo= 650 nm, amplitude FWHM = 4 μm) is sourced at y= −10 nm, just before the
entrance facet of the slit.

Kết quả (Việt) 1:

Hình 5. Một chùm Gaussian của bước sóng λois tập trung tại các khía cạnh lối vào của một khe bán vô hạn (chiều rộng = w, liên tục lưỡng điện = ε2) trong một loạt các kim loại có liên tục lưỡng điện ε1. (Trong hệ thống 2 chiều này các chùm tia tập trung thông qua một ống kính hình trụ; hình dạng của nó, do đó, hiện không khác nhau dọc theo trục x.) Các chùm tia linearly phân cực, có lĩnh vực H dọc theo xand E-lĩnh vực phụ kiện (Ey, Ez) hạn chế với mặt phẳng của tỷ lệ. Trong mô phỏng FDTD của chúng tôi, sự kiện chùm (λo = 650 nm, biên độ FWHM = 4 μm) có nguồn gốc tại y = tới-10 nm, chỉ cần trước khi các lối vào các khía cạnh của các khe.

Kết quả (Việt) 2:

Vả. 5. Một chùm Gauss bước sóng λois tập trung ở khía cạnh lối vào của một khe bán vô hạn
(width = w, hằng số điện môi = ε2) trong một loạt kim loại có điện môi ε1 liên tục. (Trong hệ thống 2 chiều này chùm tia tập trung thông qua một ống kính hình trụ; hình dạng của nó, do đó, không
. không thay đổi dọc theo trục x) Các tia là phân cực tuyến tính, có H-field cùng Xand E-lĩnh vực
linh kiện (Ey, Ez
) giới hạn với mặt phẳng của tỷ lệ. Trong mô phỏng FDTD của chúng tôi, các sự cố
dầm (λo = 650 nm, biên độ FWHM = 4 micromet) có nguồn gốc tại y = -10 nm, ngay trước
lối vào khía cạnh của khe.