We report, in Table 2, the fitting

We report, in Table 2, the fitting polynomial laws of Ids,sat versus Vgs as obtained for AlInN/AlN/GaN HEMTs having different In compositions. In order to examine the relation between the saturated current and the thickness of AlN underlayer, we have computed the saturated current versus AlN thickness.

Kết quả (Việt) 1:

Chúng tôi báo cáo, trong bảng 2, phù hợp luật pháp đa thức của ID, ngồi so với Vgs như thu được cho AlN-AlInN-GaN HEMTs có khác nhau trong tác phẩm. Để kiểm tra mối quan hệ giữa dòng bão hòa và độ dày của AlN underlayer, chúng tôi đã tính toán hiện nay bão hòa so với độ dày AlN.

Kết quả (Việt) 2:

Chúng tôi báo cáo, trong Bảng 2, luật đa thức phù hợp của Id, ngồi so với VGS là thu được cho AlInN / AlN / GaN HEMTs có khác nhau trong tác phẩm. Để kiểm tra mối quan hệ giữa bão hòa hiện tại và độ dày của AlN underlayer, chúng tôi đã tính bão hòa hiện nay so với AlN dày.