The basic transistor layout as illu

The basic transistor layout as illustrated has a channel length (L) of 0.2um and a channel width (W) of 20um. The source diffusion and the drain diffusion should be filled with the maximum number of contacts to reduce the resistance of the connection from the metal to the diffusion, and to maximize the amount of current that can flow through the contacts.

Kết quả (Việt) 1:

Việc bố trí cơ bản transistor như minh họa có chiều dài kênh (L) của 0.2um và chiều rộng kênh (W) 20um. Sự khuếch tán nguồn và khuếch tán cống nên được lấp đầy với số lượng tối đa của địa chỉ liên lạc để giảm sức đề kháng của kết nối từ kim loại với sự khuếch tán, và để tối đa hóa số lượng hiện tại có thể lưu thông qua các số liên lạc.

Kết quả (Việt) 2:

Việc bố trí các bóng bán dẫn cơ bản như minh họa có chiều dài kênh (L) của 0.2um và chiều rộng kênh (W) của 20um. Sự khuếch tán nguồn và khuếch tán cống cần được lấp đầy với các số liên hệ tối đa để giảm sức đề kháng của các kết nối từ kim loại đến sự khuếch tán, và để tối đa hóa số lượng hiện nay có thể chảy qua các địa chỉ liên lạc.