where y is the distance along the c

where y is the distance along the channel from the source, Fc is the critical electric field, Z is the gate width and V(y) is the effective gate voltage at position y. The gate voltage is replaced by the effective gate bias Vgs–V(y) at position y along the channel from the source. The boundary conditions used are: V(y = 0) = RsIds and V(y = L) = Vds (Rs + Rd)Ids, where Rs and Rd are the source and drain contact resis- tances and Vds is the drain-source voltage. Accordingly, the current–voltage characteristics can be derived from the following equations

Kết quả (Việt) 1:

nơi y là khoảng cách dọc theo các kênh từ các nguồn, Fc là điện trường quan trọng, Z là chiều rộng cửa và V(y) là điện áp hiệu quả cổng tại vị trí y. Điện áp gate được thay thế bởi thiên vị hiệu quả cổng Vgs–V(y) tại vị trí y dọc theo các kênh từ các nguồn. Các điều kiện của ranh giới sử dụng là: V(y = 0) = RsIds và V(y = L) = ID Vds (Rs + Rd), nơi Rs Rd là nguồn và khóa liên hệ resis-tances và Vds là điện áp nguồn cống. Theo đó, những đặc điểm hiện tại-điện áp có thể được bắt nguồn từ các phương trình sau

Kết quả (Việt) 2:

trong đó y là khoảng cách dọc theo kênh từ nguồn, Fc là điện trường quan trọng, Z là chiều rộng cổng và V (y) là điện áp cổng hiệu quả ở vị trí y. Các điện áp cổng được thay thế bởi những hiệu quả cổng thiên vị VGS-V (y) tại vị trí y dọc theo kênh từ nguồn. Các điều kiện biên được sử dụng là: V (y = 0) = RsIds và V (y = L) = VDS (Rs + Rd) Id, nơi Rs và Rd là nguồn ráo xúc tances trở và VDS là thoát nguồn Vôn. Theo đó, các đặc điểm hiện tại, điện áp có thể được bắt nguồn từ các phương trình sau