If the voltage across the MOSFET ch

If the voltage across the MOSFET channel is less than the VF of the intrinsic diode (which typically has a higher VF than discrete diodes), then the majority of the current will flow through the MOSFET channel instead of the intrinsic diode. The gate drive for both the MOSFETs and IGBTs must be referenced to the common sources or emitters of the devices. Since this node will be swinging with the AC waveform, an isolated drive is necessary. The PVI can be used, as shown in Figure 40.

Kết quả (Việt) 1:

Nếu điện áp trên kênh MOSFET là ít hơn VF diode nội tại (trong đó thường có một phi đội VF cao hơn iốt rời rạc), sau đó phần lớn hiện nay sẽ chảy qua eo MOSFET thay vì các diode nội tại. Ổ đĩa cổng cho MOSFETs và IGBTs phải được tham chiếu đến các nguồn phổ biến hoặc các bức xạ trong các thiết bị. Kể từ khi nút này sẽ swinging với dạng sóng AC, ổ đĩa bị cô lập là cần thiết. PVI có thể được sử dụng, như minh hoạ trong hình 40.

Kết quả (Việt) 2:

Nếu điện áp trên kênh MOSFET là ít hơn so với VF của diode nội tại (trong đó thường có một VF cao hơn điốt rời rạc), sau đó phần lớn các dòng điện sẽ chạy qua các kênh MOSFET thay vì các diode nội tại. Các ổ đĩa cổng cho cả các MOSFET và IGBT phải được tham chiếu đến các nguồn phát thải hoặc các thiết bị phổ biến. Kể từ nút này sẽ được đong đưa với các dạng sóng AC, một ổ đĩa được phân lập là cần thiết. PVI có thể được sử dụng, như thể hiện trong hình 40.