High power LDMOS devices typically

High power LDMOS devices typically provide internal impedance matching for intended frequency band. The practical power limit for LDMOS without internal matching is around 10 Watts at 2.5 GHz. This might leave a window of opportunity for other materials in broadband power designs. Wide bandgap materials offer higher output power per 1 pF of gate capacitance, which is an advantage for broadband applications.

Kết quả (Việt) 1:

Thiết bị điện cao LDMOS thường cung cấp nội bộ trở kháng phù hợp cho ban nhạc dự định tần số. Giới hạn quyền lực thực tế cho LDMOS mà không phù hợp với nội bộ là khoảng 10 watt tại 2.5 GHz. Điều này có thể để lại một cửa sổ của cơ hội cho các tài liệu khác trong thiết kế năng lượng băng thông rộng. Rộng bandgap vật liệu cung cấp cao hơn sản lượng điện cho mỗi 1 pF điện dung gate, đó là một lợi thế cho các ứng dụng băng thông rộng.

Kết quả (Việt) 2:

Thiết bị điện cao LDMOS thường cung cấp nội trở kháng phù hợp cho ban nhạc tần số dự định. Giới hạn quyền lực thực tế cho LDMOS mà không phù hợp với nội là khoảng 10 Watts 2,5 GHz. Điều này có thể để lại một cửa sổ cơ hội cho các tài liệu khác trong các thiết kế công suất băng rộng. Vật liệu bandgap rộng cung cấp sản lượng điện cao hơn cho mỗi 1 pF cổng điện dung, đó là một lợi thế cho các ứng dụng băng thông rộng.