To solve this problem of multistack

To solve this problem of multistacked structures including a buffer layer, such as metal-ferroelectric-insulator-semiconductor or metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor structures, have been used to fabricate Si-base ferroelectric gate memory transistors.

Kết quả (Việt) 1:

để giải quyết vấn đề này của các cấu trúc multistacked bao gồm một lớp đệm, chẳng hạn như kết cấu kim loại, sắt điện-chất cách điện-bán dẫn hoặc kim loại sắt điện-kim loại cách điện, chất bán dẫn, đã được sử dụng để chế tạo transistor cổng bộ nhớ si-cơ sở sắt điện.

Kết quả (Việt) 2:

Để giải quyết vấn đề này của multistacked cấu trúc bao gồm một lớp đệm, chẳng hạn như cấu trúc kim loại-ferroelectric-cách điện-bán dẫn hoặc kim loại-ferroelectric-kim loại-cách điện-bán dẫn, đã được sử dụng để chế tạo cơ sở Si ferroelectric cổng bộ nhớ bóng bán dẫn.