CdTe is the best suited semiconduct

CdTe is the best suited semiconductor for solar cells due to its band gap value 1.47 eV which is close to solar spectrum, low sublimation temperature and high absorption coefficient in the range of solar spectrum. To improve the photovoltaic performance of CdS/CdTe thin film solar cells, the CdS window layer is alloyed with different concentration of ZnS to reduce the resistivity and increase the band gap values. The single crystal CdTe based solar cell devices were prepared by vacuum evaporation method and have undergone for different temperature at various illumination levels to enhance the cell efficiency. We have achieved 14.37% efficiency and increased short circuit current density and open circuit voltage by reducing series resistance of the cell.
© 2015 Published by Elsevier Ltd.
This is an open access article under the CC BY-NC-ND license
(http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/).

Kết quả (Việt) 1:

CdTe là bán dẫn phù hợp tốt nhất cho các tế bào năng lượng mặt trời do ban nhạc khoảng cách của nó có giá trị 1,47 eV mà là gần gũi với quang phổ năng lượng mặt trời, nhiệt độ thấp thăng hoa và hệ số hấp thụ cao trong phạm vi của quang phổ năng lượng mặt trời. Để cải thiện hiệu suất quang điện tế bào năng lượng mặt trời màng mỏng CD/CdTe, đĩa CD cửa sổ lớp hợp kim với các nồng độ khác nhau của ZnS để làm giảm điện trở suất và làm tăng giá trị khoảng cách của ban nhạc. Tinh thể duy nhất CdTe dựa trên tế bào năng lượng mặt trời thiết bị đã được chuẩn bị bởi phương pháp hơi nước chân không và đã trải qua cho các nhiệt độ khác nhau ở các cấp độ chiếu sáng để nâng cao hiệu quả của tế bào. Chúng tôi đã đạt được 14.37% hiệu quả và tăng ngắn mạch hiện tại mật độ và điện áp mạch mở bằng cách giảm sức đề kháng loạt của các tế bào.© 2015 xuất bản Elsevier Ltd.Đây là một bài viết mở truy cập theo giấy phép CC BY-NC-ND(http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/).

Kết quả (Việt) 2:

CdTe là các chất bán dẫn phù hợp nhất cho các tế bào năng lượng mặt trời do ban nhạc có giá trị khoảng cách của nó 1,47 eV mà gần quang phổ mặt trời, nhiệt độ thăng hoa thấp và hệ số hấp thụ cao trong phạm vi của quang phổ mặt trời. Để cải thiện hiệu suất quang điện của CdS / các tế bào năng lượng mặt trời màng mỏng CdTe, lớp cửa sổ CdS được tạo hợp kim với nồng độ khác nhau của ZnS để giảm điện trở suất và tăng giá trị ban nhạc khoảng cách. Các thiết bị di động năng lượng mặt trời đơn tinh thể dựa CdTe đã được chuẩn bị bằng phương pháp bay hơi chân không và đã trải qua cho nhiệt độ khác nhau ở mức độ chiếu sáng khác nhau để nâng cao hiệu suất pin. Chúng tôi đã đạt được 14,37% và tăng hiệu quả ngắn mạch mật độ dòng điện và điện áp hở mạch bằng cách làm giảm sức đề kháng của ô.
© 2015 đăng bởi Elsevier Ltd.
Đây là một bài báo truy cập mở theo CC BY-NC-ND giấy phép
(http: / /creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/).