The scattering rate from charged di

The scattering rate from charged dislocations was found 8–11 to be proportional to the square of the fraction of filled javascript:alert_tanchu('fy_to');void(0)traps introduced by dislocations, . In the literature,12–15 this scattering was exaggerated with the choice . A comparison with mobility data obtained for AlGaN/GaN at rather high 2DEG densities cm-2 led to the hypothesis 1,16 that the dislocation scattering even with is not strong enough to limit 2DEG mobilities at present and that there must be stronger scattering mechanisms in operation. This is further supported by the fact that each dislocation has a lower felling fraction due to correlations among them.13

Kết quả (Việt) 1:

Tỷ lệ tán xạ từ tính dislocations đã được tìm thấy 8 – 11 được tỉ lệ với bình phương của các phần filled javascript:alert_tanchu('fy_to'); void (0) bẫy được giới thiệu bởi dislocations. Trong các tài liệu, 12-15 tán xạ này đã được phóng đại với sự lựa chọn. Một so sánh với các dữ liệu di động đạt được cho AlGaN/GaN khá cao 2DEG mật độ cm-2 đã dẫn đến giả thuyết 1,16 tán xạ phân chia ngay cả với không phải là đủ mạnh để hạn chế 2DEG mobilities hiện nay và rằng phải có cơ chế tán xạ mạnh hơn trong hoạt động. Điều này tiếp tục được hỗ trợ bởi thực tế là phân chia từng có một phần nhỏ đốn thấp do tương quan giữa các them.13

Kết quả (Việt) 2:

Tỷ lệ tán xạ từ những biến tính đã được tìm thấy từ 8-11 tỉ lệ với bình phương của các phần của fi javascript lled: alert_tanchu ( 'fy_to'); void (0) bẫy được giới thiệu bởi trật khớp,. Trong văn học, 12-15 tán xạ này đã được phóng đại với sự lựa chọn. Một so sánh với dữ liệu di động thu được cho AlGaN / GaN tại khá cao 2DEG mật độ cm-2 dẫn đến giả thuyết 1,16 rằng trật khớp tán xạ ngay cả với không đủ mạnh để hạn chế độ linh động 2DEG hiện tại và rằng phải có cơ chế tán xạ mạnh hơn hoạt động. Điều này tiếp tục được hỗ trợ bởi thực tế là mỗi trật khớp có một phần nhỏ chặt thấp hơn do mối tương quan giữa các them.13