OXIDE THICKNESS CHARACTERIZATIONOne

OXIDE THICKNESS CHARACTERIZATION
One of the simplest mel hods for delermining the thickness of an oxide is to compare
(he color of the wafer with the refcrence color chart in Table 3.2 on page 60. When a
wafer is illuminaled with white light perpendicular to the surfacc, (he light penc(ratcs
the oxide film and is reflec ted by the underlying silicon wafer. Construclive interfer·
ence causes enhancement of a certain wavelength in the reflected light. and the color

Kết quả (Việt) 1:

ÔXÍT DÀY ĐẶC TÍNHMột trong những đơn giản nhất mel hods cho delermining độ dày của một ôxít là để so sánh(ông màu sắc của wafer với refcrence màu sắc biểu đồ trong bảng 3.2 trên trang 60. Khi mộtwafer là illuminaled với màu trắng ánh sáng vuông góc với surfacc, (ông nhẹ PC (ratcsbộ phim ôxít và là p ted bởi wafer silicon nằm bên dưới. Construclive interfer·ence gây ra tăng cường một số bước sóng ánh sáng phản quang. và màu sắc

Kết quả (Việt) 2:

OXIDE DÀY TÍNH CHẤT
Một trong những mel hods đơn giản nhất cho delermining độ dày của một oxit là để so sánh
(ông màu sắc của các wafer với refcrence biểu đồ màu trong bảng 3.2 trên trang 60. Khi một
wafer được illuminaled với ánh sáng trắng vuông góc với surfacc, (ông penc ánh sáng (ratcs
bộ phim oxide và là reflec ted bởi wafer silicon nằm bên dưới. interfer Construclive ·
khoa gây tăng cường một bước sóng nhất định trong ánh sáng phản xạ. và màu sắc