Since each of the input transistors

Since each of the input transistors carries a current of ISS/2, the CM level depends on how close ID3 and ID4 are to this value. In practice, as exemplified by Fig . 9.31(b), mismatches in the PMOS and NMOS current mirrors defining ISS and ID3,4 create a finite error between ID3,4 and ISS/2. Suppose, for example, that the drain currents of M3 and M4 in the saturation region are slightly greater than ISS/2. As a result, to satisfy Kirchoff current law at nodes X and Y, both M3 and M4 must enter the triode region so that their drain currents fall to ISS/2. Conversely if ID3,4 < ISS/2 the both VX and VY must drop so that M5 enters the triode region, thereby producing only 2ID3,4.

Kết quả (Việt) 1:

Kể từ khi mỗi người mang bóng bán dẫn đầu vào một hiện nay của ISS/2, mức CM tùy thuộc vào cách gần gũi ID3 và ID4 là giá trị này. Trong thực tế, như exemplified bởi sung. 9.31(b), mismatches trong hiện tại PMOS và NMOS gương xác định ISS và ID3, 4 tạo một lỗi hữu hạn giữa ID3, 4 và ISS/2. Giả sử, ví dụ, dòng hải lưu cống M3 và M4 vùng bão hòa là hơi lớn hơn ISS/2. Do đó, để đáp ứng luật Kirchoff hiện tại nút X và Y, M3 và M4 phải nhập vùng triode do đó dòng hải lưu cống của mùa thu đến ISS/2. Ngược lại nếu ID3, 4 < ISS/2 VX cả hai và VY phải thả do đó M5 vào vùng triode, do đó sản xuất chỉ 2ID3, 4.

Kết quả (Việt) 2:

Vì mỗi của các bóng bán dẫn đầu vào mang một hiện tại của ISS / 2, mức CM phụ thuộc vào cách ID3 và ID4 là giá trị này. Trong thực tế, như được minh họa bởi hình. 9.31 (b), sai lệch trong gương hiện PMOS và NMOS định ISS và ID3,4 tạo ra một lỗi hữu hạn giữa ID3,4 và ISS / 2. Giả sử, ví dụ, rằng dòng chảy của M3 và M4 trong vùng bão hòa là hơi lớn hơn ISS / 2. Kết quả là, để đáp ứng luật pháp hiện hành Kirchoff tại các nút X và Y, cả hai M3 và M4 phải nhập khu vực triode để dòng chảy của họ rơi xuống ISS / 2. Ngược lại nếu ID3,4 <ISS / 2 cả VX và VY phải thả để M5 đi vào khu vực triode, do đó chỉ 2ID3,4 sản xuất.