In order to produce stimulated emis

In order to produce stimulated emission, voltage is applied across the p-n junction to forward
bias the device and cause electrons in the “n” region to combine with holes in the “p” region, resulting
in light energy being released at a frequency related to the band gap of the device. By using different
types of semiconductor materials, light with various ranges of frequencies may be released. The actual
frequency of light emitted by the laser is determined by the length of the cavity formed by mirrored
edges perpendicular to the p-n junction.

Kết quả (Việt) 1:

Để sản xuất phát xạ kích thích, điện áp được áp dụng trên giao lộ p-n để chuyển tiếpthiên vị thiết bị và gây ra electron trong vùng "n", kết hợp với lỗ trong vùng "p", kết quảnăng lượng ánh sáng được phát hành ở một tần số liên quan đến khoảng cách ban nhạc của điện thoại. Bằng cách sử dụng khác nhautrong số các loại vật liệu bán dẫn, ánh sáng với các phạm vi khác nhau của tần số có thể được phát hành. Thực tếtần số của ánh sáng phát ra từ laser được xác định bởi độ dài của khoang hình thành bởi được nhân đôicạnh vuông góc với giao lộ p-n.

Kết quả (Việt) 2:

Để sản xuất phát xạ kích thích, điện áp được áp dụng trên các đường giao nhau pn để chuyển tiếp
thiên vị các thiết bị và gây ra các điện tử trong "n" khu vực kết hợp với các lỗ hổng trong những "p" khu vực, dẫn đến
năng lượng ánh sáng được phát hành ở một tần số liên quan đến khe hở của thiết bị. Bằng cách sử dụng khác nhau
các loại vật liệu bán dẫn, ánh sáng với các phạm vi khác nhau của tần số có thể được phát hành. Các thực tế
tần số của ánh sáng phát ra bởi các tia laser được xác định bởi chiều dài của khoang hình thành bởi gương
cạnh vuông góc với các đường giao nhau pn.