All silicon power diodes consist of

All silicon power diodes consist of some type of P-I-N
structure, made up of a highly doped P type region on one
side, and a highly doped N+ type on the other, both
separated by a near intrinsic middle region called the base.
The properties of this base region such as width, doping
levels and recombination lifetime determine the most
important diode characteristics, such as reverse blocking
voltage capability, on-state voltage drop V F , and switching
speed, all critical for efficient high frequency rectification.

Kết quả (Việt) 1:

Tất cả silic điện điốt bao gồm một số loại P-tôi-Ncấu trúc, gôm cao sườn P loại vùng trên mộtbên, và một cao sườn N + loại khác, cả haingăn cách bởi một vùng gần giữa nội tại được gọi là các cơ sở.Các thuộc tính của khu vực căn cứ này chẳng hạn như chiều rộng, dopingcấp độ và tuổi thọ gen xác định tối đađặc điểm quan trọng diode, chẳng hạn như ngăn chặn đảo ngượckhả năng điện áp, ngày nhà nước điện áp thả V F, và chuyển đổitốc độ, tất cả quan trọng hiệu quả cao tần số phân đoạn.

Kết quả (Việt) 2:

Tất cả điốt điện silicon bao gồm một số loại PIN
cấu trúc, tạo thành một loại P khu vực pha tạp cao về một
bên, và một N + loại pha tạp cao trên khác, cả hai
cách nhau bằng một khu vực giữa nội tại gần được gọi là cơ sở.
Các thuộc tính của khu vực này cơ bản như chiều rộng, doping
cấp và tái tổ hợp đời xác định hầu hết các
đặc điểm diode quan trọng, chẳng hạn như ngăn chặn ngược lại
khả năng điện áp, về trạng thái sụt giảm điện áp VF, và chuyển đổi
tốc độ, tất cả đều quan trọng đối với hiệu quả cải tần số cao.