Obtained results are summarized in

Obtained results are summarized in Table 1. In the same table, is also reported the electron sheet den- sity of 2DEG. On the other hand, we have investigated the effects of an AlN thickness on the electron mobility. As has been found, the mobility increases drastically with the insertion of an AlN interlayer and reaches 1300 cm2 V 1 s 1 for AlN thickness of 1 nm (see Fig. 4).

Kết quả (Việt) 1:

Kết quả thu được được tóm tắt trong bảng 1. Trong cùng một bảng, cũng báo cáo các electron tờ den-sity của 2DEG. Mặt khác, chúng tôi đã nghiên cứu tác dụng của một bề dày AlN trên di động điện tử. Như đã được tìm thấy, di động với chèn một AlN đã tăng mạnh và đạt đến 1300 cm2 V 1 s 1 cho AlN dày 1 nm (xem hình 4).

Kết quả (Việt) 2:

kết quả thu được tóm tắt trong Bảng 1. Trong cùng một bảng, cũng được báo cáo bảng điện tử den- sity của 2DEG. Mặt khác, chúng tôi đã nghiên cứu ảnh hưởng của độ dày AlN trên di động của electron. Như đã được tìm thấy, tăng tính di động mạnh với sự chèn của một lớp xen AlN và đạt 1300 cm2 V 1 của 1 cho AlN độ dày của 1 nm (xem hình. 4).