Results are reported in Fig. 7. Cal

Results are reported in Fig. 7. Calculations have been made for an In composition xIn = 0.1 and Vgs = 0 V. It can be noticed that the saturated current increases notably with the AlN underlayer thickness and reaches 1.6 A/mm for an AlN thickness of 1 nm. A further increase in AlN thickness decreases the saturated current down to 0.97 A/mm. A maximum of drain-current is thus achieved for an optimized AlN thickness.

Kết quả (Việt) 1:

Kết quả báo cáo trong hình 7. Tính toán đã được thực hiện cho an tâm phần In = 0,1 và Vgs = 0 V. Nó có thể được nhận thấy rằng hiện nay bão hòa tăng đáng chú ý là với độ dày underlayer AlN và đạt 1,6 A/mm cho một độ dày AlN 1 nm. Sự gia tăng hơn nữa trong AlN dày giảm bão hòa hiện nay xuống 0,97 A/mm. Tối đa là cống-hiện tại do đó đã đạt được cho một tối ưu hóa AlN dày.

Kết quả (Việt) 2:

Kết quả được báo cáo trong hình. 7. Các tính toán đã được thực hiện cho một thành phần Trong xịn = 0,1 và VGS = 0 V. Có thể nhận thấy rằng bão hòa tăng hiện nay đặc biệt với độ dày AlN underlayer và đạt 1,6 A / mm cho độ dày AlN của 1 nm. Sự gia tăng hơn nữa trong AlN độ dày giảm bão hòa hiện nay xuống 0,97 A / mm. Một tối đa cống-hiện được do đó đạt được một độ dày AlN tối ưu.