The Metal-Semiconductor-Field-Effec

The Metal-Semiconductor-Field-Effect-Transistor (MESFET) consists of a conducting channel
positioned between a source and drain contact region as shown in the Figure 3.6.1. The carrier
flow from source to drain is controlled by a Schottky metal gate. The control of the channel is
obtained by varying the depletion layer width underneath the metal contact which modulates the
thickness of the conducting channel and thereby the current between source and drain.

Kết quả (Việt) 1:

Kim loại-bán dẫn-Field-có hiệu lực-Transistor (MESFET) bao gồm một kênh tiến hành
nằm giữa một vùng nguồn và cống liên hệ như minh hoạ trong hình 3.6.1. Chiếc tàu sân bay
dòng chảy từ nguồn để thoát được điều khiển bởi một cửa khẩu kim loại Schottky. Sự kiểm soát của các kênh là
thu được bằng cách thay đổi chiều rộng lớp sự suy giảm bên dưới kim loại số liên lạc mà modulates các
độ dày của các kênh tiến hành và do đó hiện nay giữa nguồn và cống.

Kết quả (Việt) 2:

Các kim loại bán dẫn-Field-Effect-Transistor (MESFET) bao gồm một kênh tiến hành
đặt giữa nguồn và khu vực liên hệ với cống như thể hiện trong hình 3.6.1. Các tàu sân bay
dòng chảy từ nguồn để ráo nước được điều khiển bởi một cổng kim loại Schottky. Sự kiểm soát của kênh được
thu được bằng cách thay đổi chiều rộng lớp suy giảm dưới tiếp xúc kim loại điều chỉnh các
độ dày của kênh tiến hành và do đó hiện nay giữa nguồn và máng.