Second-row elements such as silicon

Second-row elements such as silicon are known to stabilize a-carbanions with
considerably greater effectiveness than their first-row counterparts. Early rationali
zation of this phenomenon favored the p,-d, model B as a source of the stabilizing
influence. More recently, stabilization by means of the high polarizability of Si and
the presence of an empty o"orbital on the silicon have been proposed. Overlap with
the filled orbital of a flanking carbanionic center as in C can account for the observed
stabilization. 14'

Kết quả (Việt) 1:

Hàng thứ hai yếu tố như silic được biết là ổn định một carbanions vớicao hơn đáng kể hiệu quả hơn so với đối tác hàng đầu tiên của họ. Đầu rationalization của hiện tượng này ưa chuộng p,-d, mô hình B như là một nguồn của sự ổn địnhảnh hưởng. Gần đây hơn, ổn định bằng phương tiện của polarizability cao của Si vàsự hiện diện của một sản phẩm nào o "quỹ đạo trên silic đã được đề xuất. Chồng lên nhau vớiquỹ đạo đầy một sườn carbanionic Trung tâm như trong C có thể tài khoản cho các quan sátổn định. 14'

Kết quả (Việt) 2:

Yếu tố thứ hai liên tiếp như silicon được biết để ổn định một-carbanions với
hiệu quả cao hơn đáng kể so với các đối tác đầu tiên của họ hàng. Rationali đầu
tổ của hiện tượng này ủng hộ p, d, mô hình B như là một nguồn của sự ổn định
ảnh hưởng. Gần đây hơn, ổn định bằng các phương tiện của các phân cực cao của Si và
sự hiện diện của một sản phẩm nào o "quỹ đạo trên silicon đã được đề xuất. Overlap với
các điền quỹ đạo của một trung tâm carbanionic chầu như trong C có thể tài khoản cho các quan sát
ổn định. 14 '