Preparation and characterization of

Preparation and characterization of LaNiO3 films grown by metal-organic deposition
Abstract. We have investigated the synthesis and characterization of LaNiO3 (LNO) layers deposited on
YSZ (100) substrate by metal–organic deposition (MOD). Texture, morphology and electrical properties of
the LaNiO3 films were characterized by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), scanning
electron microscopy (SEM) and electrical resistivity measurement. It has been found that the formation of
(h00) orientation depends on pyrolysis temperature, annealing temperature and thickness of LaNiO3 layers.
The LaNiO3 films prepared under optimal condition indicate highly (h00) orientation and a rather smooth
surface. The LaNiO3 films show a metallic behaviour in the measured temperature range.
1. Introduction
In recent decades, high-temperature superconducting
coated conductors based on YBa2Cu3O7–δ (YBCO) have
attracted great interest for electric power application
(Larbalestier et al 2001). The orientation and microstructure
of buffer layers between substrate and superconducting
layer are very critical to the textured growth and the
superconducting performance of YBCO layers. Preparation
of buffer layers with high quality, therefore, becomes
rather important in order to transfer the texture from substrate
into YBCO layer and to realize chemical barriers
between the metal substrate and superconducting layer.
The considerations for candidates of buffer layers usually
include lattice matching, structural and chemical compatibility
with the metal substrate and YBCO (Knoth et al
2007). A number of electrical insulating buffer layers
have been tested so far, but conductive buffer layers have
huge commercial prospects because of their potential engineering
applications for superconductors. Among many
conductive buffer layers, LaNiO3 (LNO) has been proved
to be a good candidate because it exhibits perovskite structure
with a lattice parameter (a = 0⋅384 nm) close to that of
YBCO and high conductivity over a wide temperature
range (Lee et al 1993; Bhuiyan et al 2006).

Kết quả (Việt) 1:

Chuẩn bị và đặc tính của bộ phim LaNiO3 được phát triển bởi kim loại hữu cơ lắng đọngTóm tắt. Chúng tôi đã điều tra tổng hợp và các đặc tính của các LaNiO3 (LNO) lớp trầm tích trênYSZ (100) các bề mặt bằng kim loại-hữu cơ lắng đọng (MOD). Kết cấu, hình Thái và các tính chất điện củaphim LaNiO3 đã được đặc trưng bởi nhiễu xạ tia x (XRD), kính hiển vi lực nguyên tử (AFM), chức năng quétkính hiển vi điện tử (SEM) và đo điện trở suất. Nó đã là tìm thấy rằng sự hình thành củađịnh hướng (h00) phụ thuộc vào nhiệt độ Chưng khô, ủ nhiệt độ và độ dày của lớp LaNiO3.Phim LaNiO3 chuẩn bị dưới điều kiện tối ưu cho biết rất cao (h00) định hướng và khá mịnbề mặt. Phim LaNiO3 cho một hành vi kim loại trong phạm vi đo nhiệt độ. 1. giới thiệuTrong thập kỷ gần đây, nhiệt độ cao siêu dẫnbọc bảo vệ dây dẫn dựa trên YBa2Cu3O7-δ (YTTRIUM) cóthu hút quan tâm lớn cho các ứng dụng năng lượng điện(Larbalestier et al năm 2001). Định hướng và microstructurelớp đệm giữa các bề mặt và siêu dẫnlớp là rất quan trọng đối với sự phát triển kết cấu và cáchiệu suất siêu dẫn YTTRIUM lớp. Chuẩn bịlớp đệm với chất lượng cao, do đó, trở thànhkhá quan trọng để chuyển các kết cấu từ bề mặtvào lớp YTTRIUM và để nhận ra những rào cản hóa họcgiữa các bề mặt kim loại và lớp siêu dẫn.Xem xét cho ứng cử viên của lớp đệm thườngbao gồm lưới phù hợp, cấu trúc và hóa khả năng tương thíchvới các bề mặt kim loại và YTTRIUM (Knoth et alNăm 2007). một số lớp đệm điện cách điệnđã được thử nghiệm như vậy đến nay, nhưng dẫn đệm lớp cótriển vọng thương mại rất lớn vì kỹ thuật tiềm năng của họứng dụng cho các chất siêu dẫn. Trong số rất nhiềulớp đệm Conductive, LaNiO3 (LNO) đã được chứng minhlà một ứng cử viên tốt vì nó thể hiện hay cấu trúc perovskitevới một tham số lưới (một = 0⋅384 nm) gần vớiYTTRIUM và tính dẫn điện cao hơn nhiệt độ rộngphạm vi (Lee et al năm 1993; Bhuiyan et al năm 2006).

Kết quả (Việt) 2:

Chuẩn bị và đặc tính của bộ phim LaNiO3 phát triển bởi lắng đọng kim loại hữu cơ
Tóm tắt. Chúng tôi đã điều tra tổng hợp và đặc tính của LaNiO3 lớp (LNO) đọng lại trên
YSZ (100) chất nền bằng cách lắng đọng kim loại hữu cơ (MOD). Kết cấu, hình thái và tính chất điện của
các bộ phim LaNiO3 được đặc trưng bởi sự nhiễu xạ tia X (XRD), nguyên tử lực kính hiển vi (AFM), quét
hiển vi điện tử (SEM) và đo điện trở. Nó đã được tìm thấy rằng sự hình thành
(h00) hướng phụ thuộc vào nhiệt độ nhiệt phân, nhiệt độ ủ và độ dày của lớp LaNiO3.
Các bộ phim LaNiO3 chuẩn bị trong điều kiện tối ưu cho thấy tính cao (h00) định hướng, chứ không mịn
bề mặt. Các bộ phim LaNiO3 hiện một hành vi kim loại trong phạm vi nhiệt độ đo.
1. Giới thiệu
Trong những thập kỷ gần đây, nhiệt độ cao siêu dẫn
bọc dây dẫn dựa trên YBa2Cu3O7-δ (YBCO) đã
thu hút sự quan tâm lớn cho các ứng dụng điện
(Larbalestier et al 2001). Định hướng và vi cấu trúc
của các lớp đệm giữa chất nền và siêu dẫn
lớp là rất quan trọng đối với sự phát triển kết cấu và
hiệu suất siêu dẫn của các lớp YBCO. Chuẩn bị
của lớp đệm với chất lượng cao, do đó, trở nên
khá quan trọng nhằm chuyển giao các kết cấu từ chất nền
vào lớp YBCO và để nhận ra những rào cản hóa học
giữa các chất nền kim loại và lớp siêu dẫn.
Các cân nhắc cho các ứng cử viên của các lớp đệm thường
bao gồm lưới phù hợp, kết cấu và khả năng tương thích hóa học
với các chất nền kim loại và YBCO (Knoth et al
2007). Một số lớp đệm cách điện
đã được thử nghiệm, nhưng lớp đệm dẫn điện có
triển vọng thương mại lớn là do kỹ thuật tiềm năng của
các ứng dụng cho các chất siêu dẫn. Trong số nhiều
lớp đệm dẫn điện, LaNiO3 (LNO) đã được chứng minh
là một ứng cử viên tốt vì nó thể hiện cấu trúc perovskite
với một tham số mạng tinh thể (a = 0⋅384 nm) gần đó của
YBCO và dẫn điện cao hơn nhiệt độ rộng
phạm vi (Lee et al 1993; Bhuiyan et al 2006).