Here, j is the drift current densit

Here, j is the drift current density resulting from carriers generated inside the deopletion region, and J is the diffusion current density arising from the carriers that are produced outside of the depletion layer in the bulk of the semiconductor and diffuse into the reserve-biased junction. The drift current density can be found from Eq.(6-4):

Kết quả (Việt) 1:

Ở đây, j là mật độ hiện tại trôi là hệ quả từ các tàu sân bay được tạo ra bên trong vùng deopletion, và J là mật độ hiện nay phổ biến phát sinh từ các tàu sân bay được sản xuất bên ngoài các lớp sự suy giảm trong số lượng lớn của chất bán dẫn và khuếch tán vào giao lộ thiên vị dự trữ. Mật độ trôi dạt hiện tại có thể được tìm thấy từ Eq.(6-4):

Kết quả (Việt) 2:

Ở đây, j là mật độ dòng trôi dạt do hãng tạo ra bên trong các khu vực deopletion và J là mật độ dòng khuếch tán phát sinh từ các tàu sân bay được sản xuất bên ngoài của lớp sự suy giảm trong phần lớn các chất bán dẫn và khuếch tán vào ngã ba khu bảo tồn thiên . Mật độ dòng trôi có thể được tìm thấy từ phương trình (6-4).