We see from (8.9) that the number o

We see from (8.9) that the number of electrons in the conduction band per cm3 is a function of the energy gap and the temperature, as expected. We further notice that the contribution of a temperature increase to Ne resides mostly in the exponential term and only to a lesser extent in the term T3=2. A numerical evaluation of (8.9) tells us that the number of electrons per cubic centimeter in silicon at room temperature is about 109 (see Problem 1). In other words, at room temperature, only one in every 1013 atoms contributes an electron to the conduction. This explains the poor conduction of Si, see Fig. 7.1. We shall see in the next section that in extrinsic semiconductors many more electrons can be found in the conduction band.

Kết quả (Việt) 1:

Chúng tôi nhìn thấy từ (8.9) số electron trong ban nhạc dẫn / cm3 là một chức năng của khoảng cách năng lượng và nhiệt độ, như mong đợi. Chúng tôi tiếp tục thông báo rằng sự đóng góp của một sự gia tăng nhiệt độ để Ne nằm chủ yếu trong hạn mũ và chỉ đến một mức độ thấp hơn trong thuật ngữ T3 = 2. Một đánh giá số của (8.9) cho chúng ta biết rằng số lượng các electron mỗi cm khối silic ở nhiệt độ phòng là khoảng 109 (xem vấn đề 1). Nói cách khác, ở nhiệt độ phòng, duy nhất trong mỗi nguyên tử 1013 góp phần một điện tử để dẫn. Điều này giải thích dẫn Si, người nghèo, xem hình 7,1. Chúng ta sẽ thấy trong phần tiếp theo là ở bên ngoài bán dẫn electron thêm nhiều có thể được tìm thấy trong ban nhạc dẫn.

Kết quả (Việt) 2:

Chúng ta thấy từ (8.9) rằng số lượng của các electron trong vùng dẫn mỗi cm3 là một chức năng của sự chênh lệch năng lượng và nhiệt độ, như mong đợi. Chúng tôi cũng nhận thấy rằng sự đóng góp của một sự gia tăng nhiệt độ để Ne cư trú chủ yếu ở các kỳ hạn theo cấp số nhân và chỉ đến một mức độ thấp hơn ở T3 hạn = 2. Một đánh giá số của (8.9) cho thấy số lượng các electron trên mỗi cm khối trong silicon ở nhiệt độ phòng khoảng 109 (xem Vấn đề 1). Nói cách khác, ở nhiệt độ phòng, chỉ có một trong mỗi 1.013 nguyên tử đóng góp một electron để dẫn điện. Điều này giải thích dẫn người nghèo của Si, xem hình. 7.1. Chúng ta sẽ thấy trong phần tiếp theo trong các chất bán dẫn bên ngoài nhiều electron hơn có thể được tìm thấy trong vùng dẫn.