An abrupt pn junction in silicon ha

An abrupt pn junction in silicon has doping densities NA = 1015 atoms/cm3 and ND = 1016 atoms/cm3. Calculate the junction built-in potential, the depletion-layer depths, and the maximum field with 10 V reverse bias

Kết quả (Việt) 1:

Một giao lộ đột ngột pn silic có doping mật độ NA = 1015 nguyên tử/cm3 và ND = 1016 nguyên tử/cm3. Tính toán tiềm năng được xây dựng trong giao lộ, sự suy giảm-lớp sâu và quấn tối đa với 10 V xu hướng đảo ngược

Kết quả (Việt) 2:

Một ngã ba pn đột ngột silicon đã doping mật độ NA = 1015 nguyên tử / cm3 và ND = 1016 nguyên tử / cm3. Tính toán các đường giao nhau được xây dựng trong tiềm năng, độ sâu lớp, cạn kiệt và các lĩnh fi tối đa với thiên vị 10 V ngược