Dislocations occur from growth cond

Dislocations occur from growth conditions and lattice strain in the crystal. They also occur in wafers from physical abuse during the fab process. A typical wafer has a density of 200 to 1000 dislocations per square centimeter.

Kết quả (Việt) 1:

Dislocations xảy ra từ điều kiện phát triển và lưới căng thẳng trong các tinh thể. Họ cũng có mặt trong tấm bị lạm dụng về thể chất trong quá trình fab. Wafer điển hình có mật độ 200-1.000 dislocations mỗi cm vuông.

Kết quả (Việt) 2:

Trật khớp xảy ra từ điều kiện tăng trưởng và lattice căng thẳng trong tinh thể. Họ cũng xảy ra trong tấm từ lạm dụng thân thể trong quá trình fab. Một wafer điển hình có mật độ 200-1000 lệch mạng trên mỗi centimet vuông.