CZTS thin film preparation: The pre

CZTS thin film preparation: The precursor sol solution was spin coated on molybdenum coated sodalime glass (SLG) substrate at 3000 rpm for 30 s followed by annealing at 200 ºC for 5 min on a hot plate in air. This coating step was repeated ten times to get thick CZTS precursor thin film. After that, the prepared precursor thin film was annealed at 560 ºC in sulfur atmosphere (evaporation of solid sulfur) for one hour to obtain desired crystallinity
CZTS thin film preparation:
The precursor sol solution was spin coated on molybdenum coated sodalime glass (SLG) substrate at 3000 rpm for 30 s followed by annealing at 200 ºC for 5 min on a hot plate in air. This coating step was repeated ten times to get thick CZTS precursor thin film. After that, the prepared precursor thin film was annealed at 560 ºC in sulfur atmosphere (evaporation of solid sulfur) for one hour to obtain desired crystallinity
Na-doping preparation: Three different concentration of Na-doping (0.5%, 1% and 2%) were adopted in the formation of CZTS precursor solution. In this paper only the concentration of 1% Na-doping was reported
HCl etching preparation: To show the improvement of device performance, one annealed Na-doping CZTS thin film was etched with the solution of HCl (5% v/v, 75 ºC) for 300 s to remove the superficial ZnS.

Kết quả (Việt) 2:

CZTS chuẩn bị màng mỏng: Các giải pháp tiền thân sol đã quay được phủ trên molypden tráng sodalime kính (SLG) chất nền tại 3000 rpm trong 30 s tiếp theo là ủ ở 200 ºC trong 5 phút trên một tấm nóng trong không khí. Bước lớp phủ này được lặp đi lặp lại mười lần để có được CZTS dày tiền chất màng mỏng. Sau đó, bộ phim mỏng tiền thân chuẩn bị đã được ủ ở 560 ºC trong bầu không khí lưu huỳnh (bay hơi lưu huỳnh rắn) trong một giờ để có được tinh mong muốn
CZTS chuẩn bị màng mỏng:
Các giải pháp tiền thân sol đã quay được phủ trên molypden tráng sodalime kính (SLG) chất nền tại 3000 rpm trong 30 s tiếp theo là ủ ở 200 ºC trong 5 phút trên một tấm nóng trong không khí. Bước lớp phủ này được lặp đi lặp lại mười lần để có được CZTS dày tiền chất màng mỏng. Sau đó, bộ phim mỏng tiền thân chuẩn bị đã được ủ ở 560 ºC trong bầu không khí lưu huỳnh (bay hơi lưu huỳnh rắn) trong một giờ để có được tinh mong muốn
chuẩn bị Na-doping: Ba nồng độ khác nhau của Na-doping (0,5%, 1% và 2% ) đã được thông qua trong sự hình thành các giải pháp tiền thân CZTS. Trong bài báo này chỉ có nồng độ 1% Na-doping đã được báo cáo
chuẩn bị HCl khắc: Để thể hiện sự cải thiện về hiệu suất thiết bị, một ủ CZTS Na-doping màng mỏng được khắc với dung dịch HCl (5% v / v, 75 ºC ) cho 300 để loại bỏ các ZnS hời hợt.