An entire flash memory can be erase

An entire flash memory can be erased in one or a few seconds, which is much faster than EPROM. In addition, it is possible to erase just blocks of memory rather than an entire chip. Flash memory gets its name because the microchip is organized so that a section of memory cells are erased in a single action or “flash.”However, flash memory does not provide byte-level erasure. Like EPROM, flash memory uses only one transistor per bit, and so achieves the high density (compared with EEPROM) of EPROM.

Kết quả (Việt) 1:

Một bộ nhớ flash toàn bộ có thể bị xóa trong một hoặc một vài giây nữa, mà là nhanh hơn nhiều so với EPROM. Ngoài ra, nó có thể xóa chỉ các khối nhớ chứ không phải là một chip toàn bộ. Bộ nhớ flash được tên của nó bởi vì vi mạch được tổ chức sao cho một phần của các tế bào bộ nhớ được xoá hoàn toàn trong một hành động đơn hoặc "flash." Tuy nhiên, bộ nhớ flash không cung cấp các byte cấp erasure. Giống như EPROM, bộ nhớ flash sử dụng bóng bán dẫn duy nhất cho một chút, và để đạt được mật độ cao (so với EEPROM) của EPROM.

Kết quả (Việt) 2:

Toàn bộ bộ nhớ flash có thể được xoá hoàn toàn trong một hoặc một vài giây, đó là nhanh hơn nhiều so với EPROM. Ngoài ra, nó có thể xóa chỉ các khối bộ nhớ thay vì toàn bộ chip. bộ nhớ Flash được tên của nó bởi vì các vi mạch được tổ chức sao cho một phần của các tế bào bộ nhớ được xoá hoàn toàn trong một hành động đơn lẻ hay "flash." Tuy nhiên, bộ nhớ flash không cung cấp byte cấp tẩy xoá. Giống như EPROM, bộ nhớ flash sử dụng chỉ có một bóng bán dẫn cho mỗi bit, và do đó đạt được mật độ cao (so với EEPROM) của EPROM.