In the isolation scheme described p

In the isolation scheme described previously for the bipolar traasistor. the device is iso¬lated from other devices by the oxide lay er around its periphery and Ls Isolated from its common substrate by a o' /> junction (buried layer). In high-voltage applications, a different

Kết quả (Việt) 1:

Trong sự cô lập sơ đồ mô tả trước đó cho traasistor lưỡng cực. thiết bị là iso¬lated từ các thiết bị khác bởi lay ôxít er xung quanh chu vi của nó và Ls bị cô lập từ bề mặt của nó phổ biến bởi một o ' / > giao lộ (chôn lớp). Trong các ứng dụng cao áp, một khác nhau

Kết quả (Việt) 2:

Trong chương trình cô lập mô tả trước đây cho traasistor lưỡng cực. thiết bị là iso ¬ lated từ các thiết bị khác do er oxit giáo dân xung quanh ngoại vi và Ls của nó cách ly từ bề mặt chung của mình bằng áo '/> ngã ba (chôn lớp). Trong các ứng dụng điện áp cao, một khác nhau