electricfields, comparison of silic

electricfields, comparison of silicene’s buckling and electric-field-induced band gap of silicene using the MIN and DNP basis sets,
geometry of silicene on SiO2
(100) surfaces and h-BN, total
energy of silicene on h-BN as a function of the distance between
them, effect of electricfield on the buckling of silicene in the
sandwich structure, optimized single layer h-BN on the O- and
Si-terminated SiO2(100) surfaces, transmission spectra of the
silicene FETwith a DZP basis set, PDOS of the channel atoms in
the silicene FET under a larger electricfield ofE^= 2 V/Å, shift
of the zero-bias transmission spectrum of the silicene FET under
gate voltages, and transmission spectra of the silicene FETwith a
100-Å-long channel . This material is available free of charge via

Kết quả (Việt) 1:

electricfields, so sánh các silice của sự oằn và gây ra điện-lĩnh vực ban nhạc khoảng cách của silice bằng cách sử dụng cơ sở MIN và DNP bộ,
hình học của các silice trên bề mặt SiO2
(100) và h-BN, tất cả
năng lượng silice trên h-BN là một chức năng của khoảng cách giữa
họ, tác động của electricfield sự oằn silice trong các
sandwich cấu trúc, tối ưu hóa đơn lớp h-BN trên O - và
Chấm dứt Si SiO2(100) bề mặt, truyền dẫn quang phổ của các
silice FETwith cơ sở DZP đặt, PDOS của các nguyên tử kênh trong
silice FET dưới một lớn hơn electricfield ofE
= 2 V / Å, thay đổi
của quang phổ truyền số không thiên vị của silice FET dưới
cổng điện áp, và truyền dẫn quang phổ của silice FETwith một
100 Å dài kênh. Vật liệu này có sẵn miễn phí qua