- to 1970, both the lateral and ver

- to 1970, both the lateral and vertical isolations were provided by p-n junctions

- In 1971, thermal oxide was used for lateral isolation, resulting in a reduction device size

- at the present time, all the lateral and vertical dimensions have been scaled down and emitter stripe widths have dimensions in the submicron region

Kết quả (Việt) 1:

-đến năm 1970, cả hai isolations và dọc bên được cung cấp bằng cách liên kết p-n

-năm 1971, nhiệt ôxít được sử dụng cho bên cô lập, dẫn đến một kích thước thiết bị giảm

- tại thời điểm hiện tại, tất cả các bên và dọc chiều đã được thu nhỏ lại và emitter sọc rộng có kích thước vùng submicron

Kết quả (Việt) 2:

- Đến năm 1970, cả hai phân lập bên và dọc được cung cấp bởi các nút pn - Năm 1971, oxit nhiệt được sử dụng để cô lập bên, dẫn đến một kích thước thiết bị giảm - ở thời điểm hiện tại, tất cả các kích thước bên và theo chiều dọc đã được thu nhỏ lại và độ rộng phát sọc có kích thước trong khu vực submicron