For bipolar junction transistors th

For bipolar junction transistors the bias point is chosen to keep the transistor operating in the active mode, using a variety of circuit techniques, establishing the Q-point DC voltage and current. A small signal is then applied on top of the Q-point bias voltage, thereby either modulating or switching the current, depending on the purpose of the circuit.

The quiescent point of operation is typically near the middle of the DC load line. The process of obtaining a certain DC collector current at a certain DC collector voltage by setting up the operating point is called biasing.

After establishing the operating point, when an input signal is applied, the output signal should not move the transistor either to saturation or to cut-off. However, this unwanted shift still might occur, due to the following reasons:

Parameters of transistors depend on junction temperature. As junction temperature increases, leakage current due to minority charge carriers (ICBO) increases. As ICBO increases, ICEO also increases, causing an increase in collector current IC. This produces heat at the collector junction. This process repeats, and, finally, the Q-point may shift into the saturation region. Sometimes, the excess heat produced at the junction may even burn the transistor. This is known as thermal runaway.
When a transistor is replaced by another of the same type, the Q-point may shift, due to changes in parameters of the transistor, such as current gain ( {displaystyle eta } eta ) which varies slightly for each unique transistor.
To avoid a shift of Q-point, bias-stabilization is necessary. Various biasing circuits can be used for this purpose.

Kết quả (Việt) 1:

Đối với bipolar junction transistor là điểm thiên vị là được lựa chọn để giữ cho transistor hoạt động ở chế độ hoạt động, sử dụng một loạt các mạch kỹ thuật, thiết lập các điểm Q DC điện áp và hiện tại. Một tín hiệu nhỏ sau đó được áp dụng trên đầu trang của Q-điểm thiên vị điện áp, từ đó điều chỉnh hoặc chuyển đổi hiện tại, tùy thuộc vào mục đích của mạch điện.Điểm hoạt động, quiescent thường là gần giữa của đường tải DC. Quá trình thu thập một số DC thu hiện tại một điện áp DC thu nhất định bằng cách thiết lập các điểm hoạt động được gọi là biasing.Sau khi thiết lập các điểm hoạt động, khi một tín hiệu đầu vào được áp dụng, các tín hiệu đầu ra không nên di chuyển transistor hoặc bão hòa hoặc cắt. Tuy nhiên, sự thay đổi không mong muốn này vẫn có thể xảy ra, vì các lý do sau đây:Các tham số của bóng bán dẫn phụ thuộc vào nhiệt độ giao lộ. Khi giao lộ nhiệt độ tăng, rò rỉ hiện tại do tàu sân bay phí dân tộc thiểu số (ICBO) làm tăng. Khi ICBO tăng, ICEO cũng tăng lên, gây ra sự gia tăng trong sưu tập hiện tại IC. Điều này tạo ra nhiệt tại giao lộ của thu. Lặp đi lặp lại quá trình này, và, cuối cùng, Q-điểm có thể thay đổi vào vùng bão hòa. Đôi khi, nhiệt dư thừa được sản xuất tại giao lộ có thể thậm chí đốt transistor. Điều này được gọi là thermal runaway.Khi một bóng bán dẫn được thay thế bởi khác cùng loại, Q-điểm có thể thay đổi, do sự thay đổi trong các tham số của transistor, chẳng hạn như hiện tại đạt được ({displaystyle eta} eta) mà hơi khác nhau cho mỗi bóng bán dẫn độc đáo.Để tránh một sự thay đổi của Q-điểm, xu hướng ổn định là cần thiết. Biasing mạch khác nhau có thể được sử dụng cho mục đích này.

Kết quả (Việt) 2:

Đối với transistor nối lưỡng cực điểm thiên vị được chọn để giữ cho bóng bán dẫn hoạt động trong chế độ hoạt động, sử dụng một loạt các kỹ thuật mạch, thiết lập Q-điểm điện áp DC và hiện tại. Sau đó một tín hiệu nhỏ được áp dụng trên đầu của Q-điểm điện áp thiên vị, do đó, hoặc điều chỉnh hoặc chuyển đổi hiện nay, tùy theo mục đích của mạch.

Các điểm hoạt động gì của hoạt động thường là gần giữa dòng tải DC. Quá trình thu thập một số DC thu hiện tại một DC thu điện thế nhất định bằng cách thiết lập các điểm hoạt động được gọi là xu hướng.

Sau khi thiết lập các điểm hoạt động, khi một tín hiệu đầu vào được áp dụng, các tín hiệu đầu ra không nên di chuyển các bóng bán dẫn hoặc bão hòa hoặc để cắt. Tuy nhiên, sự thay đổi không mong muốn này vẫn có thể xảy ra, vì các lý do sau đây:

Các thông số của transistor phụ thuộc vào nhiệt độ đường giao nhau. Khi nhiệt độ tăng lên ngã ba, rò rỉ điện do các hạt mang điện thiểu số (ICBO) tăng. Như ICBO tăng, ICEO cũng tăng lên, gây ra sự gia tăng thu hiện hành vi mạch. Điều này tạo ra nhiệt ở ngã ba thu. Quá trình này lặp đi lặp lại, và, cuối cùng, Q-điểm có thể thay đổi vào vùng bão hòa. Đôi khi, sức nóng dư thừa ở ngã ba thậm chí có thể ghi các bóng bán dẫn. Điều này được gọi là runaway nhiệt.
Khi một bóng bán dẫn được thay thế bởi một người khác cùng loại, Q-điểm có thể thay đổi, do thay đổi các thông số của các bóng bán dẫn, chẳng hạn như tăng hiện tại ({ displaystyle beta} beta) mà thay đổi đôi chút cho mỗi bóng bán dẫn độc đáo.
để tránh một sự thay đổi của Q-điểm, thiên vị, ổn định là cần thiết. Mạch xu hướng khác nhau có thể được sử dụng cho mục đích này.