A Schottky diode consists of a meta

A Schottky diode consists of a metal–semiconductor sequence of layers. At the
boundary layer there is, as in the p-n junction, a charge-free space-charge zone and
a potential barrier that hinders charge transport. The current–voltage characteristic of
the metal–semiconductor transition has a diode characteristic. Schottky diodes function
as a rectifier at wavelengths below the microwave range since, unlike the pn diode,
there are no inertia effects caused by minority carrier injection. Further advantages in
comparison to pn diodes are the low voltage drop in the direction of flow and the
low noise. A possible layout of a Schottky diode is shown in Figure 4.77 (Agilent
Technologies, n.d.).

Kết quả (Việt) 1:

Một diode Schottky bao gồm một chuỗi các kim loại-bán dẫn của lớp. Tại cáclớp ranh giới đó là, như p-n junction, khu vực miễn phí không gian phí vàmột rào cản tiềm năng gây cản trở giao thông vận tải phụ trách. Đặc trưng hiện nay-điện áp củachuyển tiếp kim loại-bán dẫn có một đặc trưng của diode. Schottky điốt chức năngnhư là một rectifier tại bước sóng dưới đây loạt lò vi sóng kể từ khi, không giống như pn diode,không có không có hiệu ứng quán tính gây ra bởi các dân tộc thiểu số tàu sân bay tiêm. Thêm lợi thế trongso sánh với pn điốt là giảm điện áp thấp sự hướng dẫn của flow và cáctiếng ồn thấp. Bố trí có thể của một diode Schottky sẽ được hiển thị trong hình 4,77 (AgilentCông nghệ, là n.d.).

Kết quả (Việt) 2:

Một diode Schottky gồm một chuỗi kim loại bán dẫn của các lớp. Tại các
lớp biên có, như trong tiếp giáp pn, một vùng không gian phí phí miễn phí và
là một rào cản tiềm năng gây cản trở giao thông vận tải chịu trách nhiệm. Đặc điểm hiện tại, điện áp của
các kim loại chuyển tiếp-bán dẫn có một đặc tính diode. Schottky diode hoạt động
như một er fi recti ở các bước sóng dưới vi sóng kể từ đó, không giống như các diode pn,
không có tác dụng quán tính gây ra do tiêm tàu sân thiểu số. Lợi thế hơn trong
so sánh với các điốt pn là giảm điện áp thấp theo hướng fl ow và
tiếng ồn thấp. Một cách bố trí có thể của một diode Schottky được thể hiện trong hình 4.77 (Agilent
Technologies, nd).