There are certain pieces of data th

There are certain pieces of data that are normally provided on diode specification sheets provided by manufacturers. One such quantity that has not been considered yet is the reverse recovery time, denoted by trr . In the forward-bias state it was shown earlier that there are a large number of electrons from the n-type material progressing through the p-type material and a large number of holes in the n-type a requirement for conduction. The electrons in the p-type and holes progressing through the n-type material establish a large number of minority carriers in each material. If the applied voltage should be reversed to establish a reverse-bias situation, we would ideally like to see the diode change instantaneously from the conduction state to the nonconduction state. However, because of the large number of minority carriers in each material, the diode current will simply reverse as shown in Fig. 1.39 and stay at this measurable level for the period of time ts (storage time) required for the minority carriers to return to their majority-carrier state in the opposite material. In essence, the diode will remain in the short-circuit state with a current Ireverse determined by the network parameters. Eventually, when this storage phase has passed, the current will reduce in level to that associated with the nonconduction state. This second period of time is denoted by tt (transition interval). The reverse recovery time is the sum of these two intervals: trr = ts + tt. Naturally, it is an important consideration in high- speed switching applications. Most commercially available switching diodes have a
trr in the range of a few nanoseconds to 1 µs. Units are available, however, with a trr
of only a few hundred picoseconds (10—12).

Kết quả (Việt) 2:

Có một số phần trong dữ liệu đó thường được cung cấp trên diode tờ đặc điểm kỹ thuật được cung cấp bởi nhà sản xuất. Một trong những con số đó đã không được coi là chưa là thời gian phục hồi ngược, biểu hiện bằng TRR. Trong trạng thái chuyển tiếp thiên vị nó đã chỉ ra trước đó rằng có một số lượng lớn các điện tử từ các nguyên liệu loại n tiến triển qua vật liệu loại p và một số lượng lớn các lỗ hổng trong n-type một yêu cầu cho dẫn. Các electron trong các loại p và lỗ tiến triển qua vật liệu loại n thiết lập một số lượng lớn các tàu sân thiểu số trong từng chất liệu. Nếu điện áp nên được đảo ngược để thiết lập một tình huống ngược lại thiên vị, chúng tôi sẽ lý tưởng muốn nhìn thấy sự thay đổi ngay lập tức diode từ trạng thái dẫn đến tình trạng nonconduction. Tuy nhiên, vì số lượng lớn các tàu sân thiểu số trong từng tài liệu, các diode hiện tại sẽ chỉ đơn giản là đảo ngược như hình. 1,39 và ở mức độ có thể đo lường này cho thời gian của ts thời gian (thời gian lưu trữ) cần thiết cho các tàu sân bay thiểu số để trở về trạng thái đa sóng mang của họ trong vật liệu ngược lại. Về bản chất, các diode sẽ vẫn ở trạng thái ngắn mạch với một Ireverse hiện nay được xác định bởi các thông số mạng. Cuối cùng, khi giai đoạn lưu trữ này đã qua, hiện tại sẽ giảm trong mức độ cho rằng có liên quan với tình trạng nonconduction. Giai đoạn thứ hai của thời gian được biểu thị bởi tt (khoảng thời gian chuyển tiếp). Thời gian phục hồi ngược lại là tổng của hai khoảng thời gian này: TRR = ts + tt. Đương nhiên, đó là một yếu tố quan trọng trong các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao. Thương mại nhất điốt chuyển sẵn có
TRR trong phạm vi của một vài nano giây đến 1 ms. Đơn vị có sẵn, tuy nhiên, với một TRR
của chỉ một vài trăm pico giây (10-12).