The introduction of strain can prov

The introduction of strain can provide a salutatory effect on the performance of laser
diodes, in spite of the fact that the notion is counterintuitive. Strained-layer lasers can
have superior properties, and can operate at wavelengths other than those accessible
by means of compositional tuning. Quantum-confined strained-layer lasers have been
fabricated from 111- V semiconductor materials in various configurations. Rather than
being lattice-matched to the confining layers, the active region is deliberately chosen
to have a different lattice constant. If sufficiently thin, it can accommodate its atomic
spacings to those of the surrounding layers, and in the process become strained (if
the active region is too thick it will not properly accommodate and the material will
contain dislocations). The InGaAs active layer in an AIGaAsjlnGaAs strained-layer
quantum-well laser, for example, has a lattice constant that is significantly greater than
that of its AIGaAs confining layers. The thin InGaAs layer therefore experiences a
biaxial compression in the plane of the layer, while its atomic spacings are increased
above their nominal values in the direction perpendicular to the layer.

Kết quả (Việt) 1:

sự ra đời của dòng có thể cung cấp một hiệu ứng nhập đề về hiệu suất của laser
điốt, mặc dù thực tế là các khái niệm là khác thường. lớp căng thẳng laser có thể
có đặc tính cao, và có thể hoạt động ở các bước sóng khác với những truy cập
bằng điều chỉnh thành phần. lượng tử giới hạn laser lớp căng thẳng đã
chế tạo từ 111 - vật liệu bán dẫn v trong các cấu hình khác nhau. hơn
được mạng kết hợp các lớp nhốt, khu vực hoạt động là cố ý chọn
để có một hằng số mạng tinh thể khác nhau. nếu đủ mỏng, nó có thể chứa nguyên tử
, khoảng cách của nó với những người của các lớp xung quanh, và trong quá trình trở thành căng thẳng (nếu
khu vực hoạt động là quá dày nó sẽ không phù hợp và các vật liệu sẽ
chứa lệch). các InGaAs layer hoạt động trong một aigaasjlngaas lớp căng thẳng
giếng lượng tử laser, ví dụ, có một hằng số mạng mà lớn hơn
của aigaas của nó nhốt lớp đáng kể. do đó các lớp InGaAs mỏng trải qua một
nén hai trục trong mặt phẳng của lớp,trong khi, khoảng cách nguyên tử của nó được tăng lên
trên giá trị danh nghĩa của họ theo hướng vuông góc với lớp.

Kết quả (Việt) 2:

Sự ra đời của căng thẳng có thể cung cấp một hiệu ứng salutatory trên hiệu suất của laser
điốt, mặc dù thực tế rằng các khái niệm là counterintuitive. Lớp căng thẳng laser có thể
có đặc tính vượt trội, và có thể hoạt động tại các bước sóng khác hơn so với những người có thể truy cập
bằng phương tiện của điều chỉnh sáng tác. Hạn chế lượng tử lớp căng thẳng laser đã
chế tạo từ vật liệu bán dẫn 111-V nhiều cấu hình. Thay vì
được lưới hợp cho các lớp nhốt, vùng hoạt động cố ý lựa chọn
có một hằng số lưới khác nhau. Nếu đủ mỏng, nó có thể chứa các nguyên tử
spacings cho những lớp xung quanh, và trong quá trình trở nên căng thẳng (nếu
vùng hoạt động là quá dày nó sẽ không đúng cách chứa và các tài liệu sẽ
chứa lệch). InGaAs hoạt động lớp trong một AIGaAsjlnGaAs căng thẳng-lớp
laser lượng tử-tốt, ví dụ, có một hằng số lưới đó là lớn hơn đáng kể so với
của của nó AIGaAs nhốt lớp. InGaAs mỏng lớp do đó kinh nghiệm một
biaxial nén trong mặt phẳng của lớp, trong khi các nguyên tử spacings được tăng lên
trên giá trị danh nghĩa của họ theo hướng vuông góc với các lớp.