The atomic structure of amorphous s

The atomic structure of amorphous silicon nitride fibers produced by two different
methods is revealed using the technique of neutron scattering. Polymer-derived fibers
are found to contain excess crystalline silicon and disordered carbon, and fibers an-
nealed in N2 for 100 h contain a cristobalite phase that becomes amorphous under
200-kV electron irradiation. Fibers grown from the gas phase, however, are shown to
consist of almost pure amorphous Si, N4, with a small crystalline a -Si, N4 component.
Introduction

Kết quả (Việt) 1:

Cấu trúc nguyên tử của silicon vô định hình nitrua sợi được sản xuất bởi thaûo phương pháp được tiết lộ bằng cách sử dụng kỹ thuật tán xạ neutron. Polymer có nguồn gốc sợi được tìm thấy có chứa silic tinh thể dư thừa và rối loạn carbon, và sợi một - nealed trong N2 cho 100 h chứa một giai đoạn cristobalit trở thành vô định hình theo bức xạ điện tử 200-kV. Sợi phát triển từ giai đoạn khí, Tuy nhiên, được hiển thị cho bao gồm gần như tinh khiết vô định hình Si, N4, với một nhỏ tinh thể a -Si, N4 thành phần. Giới thiệu

Kết quả (Việt) 2:

Các cấu trúc nguyên tử của sợi nitride silic vô định hình được sản xuất bởi hai khác nhau
phương pháp được phát hiện bằng các kỹ thuật tán xạ neutron. Sợi polymer có nguồn gốc
được phát hiện có chứa silicon tinh thể dư thừa và carbon bị rối loạn, và sợi An-
nealed trong N2 cho 100 h chứa một pha cristobalite đó trở nên vô định hình dưới
chiếu xạ electron 200 kV. Sợi tăng từ pha khí, tuy nhiên, được hiển thị để
bao gồm gần như tinh khiết vô định hình Si, N4, với một tinh thể nhỏ một -Si, thành phần N4.
Giới thiệu