Selection of MOSFET is based on the

Selection of MOSFET is based on the switching regulator’s intended
switching speed, efficiency goals, and thermal constraints [4], [5]. These
requirements can be translated into MOSFET characteristics such as
RDS(ON) and gate charge. As the duty cycle of the main switch increases,
RDS(ON) has the most influence on the converter’s efficiency. In these
types of applications, typically n-channel MOSFETs (NMOS) are used to
achieve the lowest possible RDS(ON). For a given die area and breakdown
voltage, an NMOS field-effect transistor’s (FET’s) superior carrier mobility
translates to about one half the on-resistance of that of a p-channel device.
However, the use of NMOS devices in a high-side configuration complicates
the design. An auxiliary supply, a bootstrap circuit, or a charge
pump must bring the gate voltage above the source node (input voltage).

Kết quả (Việt) 1:

Lựa chọn của MOSFET được dựa trên các điều chuyển đổi nhằm mục đíchchuyển đổi tốc độ, mục tiêu hiệu quả và hạn chế nhiệt [4], [5]. Nhữngyêu cầu có thể được dịch ra MOSFET đặc điểm nhưRDS(on) và cổng sạc. Như các chu kỳ nhiệm vụ chính chuyển tăng,RDS(on) có ảnh hưởng nhất trên bộ chuyển đổi hiệu quả. Ở đâyloại ứng dụng, thông thường kênh n MOSFETs (NMOS) được sử dụng đểđạt được thấp nhất có thể RDS(ON). Cho một khu vực nhất định chết và Niu Di-lânđiện áp, một NMOS field - effect transistor của tính di động cao cấp hãng (FET)Dịch đến khoảng một nửa ngày-kháng chiến của một thiết bị p-kênh.Tuy nhiên, việc sử dụng các NMOS thiết bị trong một cấu hình cao-side phức tạpviệc thiết kế. Một nguồn cung cấp phụ trợ, một mạch bootstrap hoặc một khoản phíMáy bơm phải mang điện áp cổng phía trên nút nguồn (điện áp đầu vào).

Kết quả (Việt) 2:

Lựa chọn các MOSFET được dựa trên điều chuyển mạch của dự định
chuyển đổi tốc độ, mục tiêu hiệu quả và hạn chế nhiệt [4], [5]. Những
yêu cầu có thể được dịch sang đặc MOSFET như
RDS (ON) và phụ trách cửa khẩu. Khi chu kỳ của sự tăng chuyển đổi chính,
RDS (ON) có ảnh hưởng lớn nhất đối với hiệu quả của chuyển đổi. Trong các
loại ứng dụng, MOSFETs thường kênh n (NMOS) được sử dụng để
đạt được các RDS thấp nhất có thể (ON). Đối với một vùng chết và sự cố cho
điện áp, cao tính di động chuyên chở (FET của) một NMOS transistor hiệu ứng trường của
dịch để khoảng một nửa trên điện trở của của một thiết bị p-kênh.
Tuy nhiên, việc sử dụng các thiết bị NMOS trong một cao cấu hình bên phức tạp
của thiết kế. Một nguồn cung cấp phụ trợ, một mạch bootstrap, hoặc một khoản phí
bơm phải đưa điện áp cổng phía trên nút nguồn (điện áp đầu vào).