However, little research has focuse

However, little research has focused on the better approach of heterojunction construction. Actually, CdMoO4 is a wide-band-gap semiconductor with a high conduction band. The CB edge potential is estimated to be approximately -0.20 eV based on the equation of ECB0 = X- Ec - 1/2 Eg which has been reported in previous literatures

Kết quả (Việt) 1:

Tuy nhiên, ít nghiên cứu đã tập trung vào phương pháp tiếp cận tốt hơn của heterojunction xây dựng. Trên thực tế, CdMoO4 là một chất bán dẫn toàn ban nhạc khoảng cách với một ban nhạc cao dẫn. Rìa CB tiềm năng ước tính là khoảng-0.20 eV dựa trên phương trình ECB0 = X - Ec - 1/2 Eg mà đã được báo cáo trong trước văn học

Kết quả (Việt) 2:

Tuy nhiên, rất ít nghiên cứu tập trung vào các phương pháp tiếp cận tốt hơn về xây dựng dị. Trên thực tế, CdMoO4 là một chất bán dẫn băng rộng-khoảng cách với một ban nhạc dẫn cao. Tiềm năng cạnh CB được ước tính là khoảng -0,20 eV dựa trên các phương trình của ECB0 = X- Ec - 1/2 Eg đã được báo cáo trong văn học trước đó