The gain mechanism of an avalanche

The gain mechanism of an avalanche photodiode is very temperature-sensitive because of the temperature dependence of the electron and hole ionization rates. This temperature dependence is particularly critical at high bias voltages, where small changes in temperature can cause large variations in gain. An example of this is shown in Fig.6-16 for a silicon avalanche photodiode . For example, if the operating temperature decreases and the applied bias voltage is kept constant, the ionization rates for electrons and holes will increase and so will that avalanche gain.

Kết quả (Việt) 1:

Cơ chế đạt được một avalanche photodiode là rất nhạy cảm với nhiệt độ do sự phụ thuộc nhiệt độ của các tỷ giá ion hóa điện tử và lỗ. Phụ thuộc vào nhiệt độ này là đặc biệt quan trọng tại điện áp cao thiên vị, nơi thay đổi nhỏ trong nhiệt độ có thể gây ra các biến thể lớn trong lợi. Một ví dụ về điều này được thể hiện trong Fig.6-16 cho một photodiode avalanche silic. Ví dụ, nếu nhiệt độ hoạt động giảm và thiên vị thế ứng dụng được giữ liên tục, mức ion hóa cho electron và lỗ sẽ tăng và như vậy sẽ thác đó đạt được.

Kết quả (Việt) 2:

Cơ chế đạt được của một photodiode tuyết lở là rất nhạy cảm với nhiệt độ vì sự phụ thuộc nhiệt độ của tỷ lệ ion hóa electron và lỗ trống. Phụ thuộc nhiệt độ này là đặc biệt quan trọng ở điện áp bias cao, nơi những thay đổi nhỏ trong nhiệt độ có thể gây ra các biến lớn trong tăng. Một ví dụ về điều này được thể hiện trong Fig.6-16 cho một trận tuyết lở photodiode silicon. Ví dụ, nếu nhiệt độ hoạt động giảm và điện áp phân cực áp dụng được giữ không đổi, tỷ lệ ion hóa cho các electron và lỗ trống sẽ tăng và như vậy sẽ có lợi tuyết lở.