resonance field is plotted as a fun

resonance field is plotted as a function of the measurement temperature in Fig. 14d. The Tcurit value is estimated from the disappearing temperature of the ferromagnetic resonance The layer fabricated on the ferromagnetic plane, (i) bilayered film, has a higher value by about 20 "C than that prepared directly on LSAT(1 1 1); (ii) monolayer film, as shown in Fig. 14d. These results indicate an increase of Tcu„c due to magnetization- trapping by the ferromagnetic layer, and showing the role of artificial crystallization in improving the value of functional materials.
3. Conclusions
PLA proceeds via two processes, photo and thermal decomposition. Conventional short-wave lasers (YAG 5th harmonic and Raman-shifted VUV laser) have proved to be useful for improving film quality. The short-wave laser suppresses surface impurity particles on films, indicating that photo-decomposition of the target to smaller particles is essential for growth of high quality epitaxial films. Construc¬tion of a high-temperature heater is another important technology for epitaxial growth of high melting point materials such as SiC and GaN. The dual-target simultaneous ablation technique has proved useful for in situ doping of dopants into

Kết quả (Việt) 1:

cộng hưởng trường vẽ như là một chức năng của nhiệt độ đo lường trong hình 14 d. Giá trị Tcurit được ước tính từ nhiệt độ biến mất của cộng hưởng sắt từ các lớp chế tạo trên máy bay trật tự sắt từ, (i) bilayered phim, có một giá trị cao hơn khoảng 20 "C hơn mà chuẩn bị trực tiếp trên LTTEER (1 1 1); (ii) monolayer phim, như minh hoạ trong hình 14 d. Các kết quả cho thấy tăng trưởng dân số Tcu "c do bẫy từ hóa bởi các lớp sắt từ, và cho thấy vai trò của sự kết tinh nhân tạo nâng cao giá trị của vật liệu chức năng.3. kết luậnPLA tiền thu được thông qua quá trình hai, hình ảnh và phân hủy nhiệt. Thông thường sóng ngắn laser (YAG 5 điều hòa và Raman-Shift VUV laser) đã chứng minh là hữu ích cho việc cải thiện chất lượng phim. Ngăn chặn sóng ngắn laser bề mặt tạp chất hạt phim, chỉ ra rằng ảnh phân hủy của các mục tiêu để hạt nhỏ hơn là cần thiết cho sự phát triển của chất lượng cao trải phim. Construc¬tion của một nóng nhiệt độ cao là một công nghệ quan trọng cho sự tăng trưởng trải vật liệu điểm nóng chảy cao như SiC và GaN. Kỹ thuật cắt bỏ đồng thời kép-mục tiêu đã tỏ ra hữu ích cho tại chỗ doping của tử vào

Kết quả (Việt) 2:

trường cộng hưởng được vẽ như một hàm của nhiệt độ đo trong hình. 14d. Giá trị Tcurit được ước lượng từ nhiệt độ biến mất của cộng hưởng sắt từ lớp chế tạo trên máy bay sắt từ, (i) phim bilayered, có một giá trị cao hơn khoảng 20 "C so với điều chế trực tiếp trên LSAT (1 1 1); (ii ) phim đơn lớp, như thể hiện trong hình. 14d. Những kết quả này cho thấy một sự gia tăng của TCU "c do bẫy magnetization- bởi các lớp sắt từ, và cho thấy vai trò của tinh nhân tạo trong việc nâng cao giá trị của vật liệu chức năng.
3. Kết luận
tiền PLA qua hai quá trình, hình ảnh và phân hủy nhiệt. laser sóng ngắn thường (YAG 5 hòa và Raman dịch chuyển tia laser VUV) đã được chứng minh là hữu ích cho việc nâng cao chất lượng phim. Các laser sóng ngắn ngăn chặn các hạt tạp chất trên bề mặt phim, chỉ ra rằng ảnh -decomposition của mục tiêu để các hạt nhỏ hơn là điều cần thiết cho sự phát triển của bộ phim epitaxy chất lượng cao. Construc¬tion của một lò sưởi ở nhiệt độ cao là một công nghệ quan trọng cho sự tăng trưởng epitaxy của sự tan chảy vật liệu cao điểm như SiC và GaN. Các dual-mục tiêu kỹ thuật cắt bỏ đồng thời tỏ ra hữu dụng cho in situ doping của dopants vào