.Thus, the pole resides at low freq

.Thus, the pole resides at low frequency, typically several kilohertz since the output resistance of the error amplifier R1 is relatively large to have enough direct current (dc) loop gain and to eliminate the need of an additional buffer. Since the gain of the pass transistor changes with varying load current, P1 is therefore load dependent, but usually less sensitive than the output pole P2. The second pole P2 is located at the LDO’s output, as shown in (2), at the bottom of the page, where is the transconductance gain of the pass transistor, is the equivalent resistance due to the current loading effects, and is the on-chip load capacitance mainly due to the system to be driven; typically, in the range of few picofarads up to 100 pF

Kết quả (Việt) 1:

. Vì vậy, cực nằm ở tần số thấp, thường vài kilohertz kể từ cuộc kháng chiến đầu ra lỗi amplifier R1 là tương đối lớn để có đủ vòng trực tiếp hiện tại (dc) đạt được và loại bỏ sự cần thiết của một vùng đệm thêm. Kể từ khi đạt được những thay đổi bóng bán dẫn vượt qua với mức hiện tại, P1 là do tải phụ thuộc, nhưng thường ít nhạy cảm hơn so với sản lượng cực P2. Thứ hai cực P2 nằm ở đầu ra của LDO, như được hiển thị ở (2), ở dưới cùng của trang, mà đạt được transconductance của pass transistor, sức đề kháng tương đương do hiệu ứng tải hiện tại, và là điện dung trên chip tải chủ yếu là do hệ thống phải được hướng; thông thường, trong phạm vi vài picofarads lên đến 100 pF

Kết quả (Việt) 2:

.Thus, Cực nằm ở tần số thấp, thường vài kilohertz kể từ khi kháng đầu ra của các lỗi ampli fi er R1 là tương đối lớn để có đủ chiều (dc) vòng lặp và loại bỏ sự cần thiết của một bộ đệm bổ sung. Kể từ khi đạt được các thay đổi vượt qua bóng bán dẫn với độ khác nhau tải trọng hiện tại, P1 được do đó tải phụ thuộc, nhưng thường ít nhạy cảm hơn so với P2 cực đầu ra. P2 cực thứ hai nằm ở đầu ra của LDO, như thể hiện trong (2), ở dưới cùng của trang, mà là tăng transconductance của bóng bán dẫn vượt qua, là điện trở tương đương do các hiệu ứng tải hiện nay, và là trên -chip tải điện dung chủ yếu là do hệ thống được điều khiển; thường, trong khoảng vài picofarads lên đến 100 pF